[发明专利]用于制造光电子组件的方法

权利要求书

1.一种用于制造光电子组件(10)的方法，所述方法包括如下步骤：

A)提供半导体本体(1)，所述半导体本体包括p型半导体区域(1a)和n型半导体区域(1b)，

B)借助第一掩模结构(2)将金属化部(3)定向地沉积到所述p型半导体区域(1a)上，其中所述第一掩模结构(2)在背离所述半导体本体(1)的一侧(2a)上与在朝向所述半导体本体(1)的一侧(2b)上相比更宽地成形，并且随后将第一钝化材料(4a)非定向地沉积到所述金属化部(3)上，

C)将所述第一掩模结构(2)剥离，并且将凹部(A)引入到所述半导体本体(1)中，使得所述凹部(A)伸展直至所述n型半导体区域(1b)中，

D)将第二钝化材料(4b)施加到所述凹部(A)的侧面(A1)上，使得所述第二钝化材料(4b)也覆盖所述第一钝化材料(4a)的侧面(41a)，

E)借助所述第一钝化材料(4a)上的第二掩模结构(22)，将n型接触材料(5)面状地定向地施加到所述凹部(A)中和施加到所述第一钝化材料(4a)上，所述第二掩模结构在背离所述半导体本体(1)的一侧(22a)上与在朝向所述半导体本体(1)的一侧(22b)上相比更宽地成形，并且将第三钝化材料(4c)随后面状地非定向地施加到所述n型接触材料(5)上，

F)剥离所述第二掩模结构(22)，

G)将接触结构(7)施加到所述半导体本体(1)上，并且将所述接触结构(7)与所述n型接触材料(5)和所述金属化部(3)电连接，其中每个接触结构(7)仅与所述n型接触材料(5)或所述金属化部(3)连接，

H)对所述接触结构(7)围绕浇注并且用囊封件(8)覆盖所述半导体本体(1)。

2.根据上一项权利要求所述的方法，

其中在方法步骤F)之后和在方法步骤G)之前进行另外的方法步骤F1)和F2)，并且在方法步骤G)之后和在方法步骤H)之前进行另一方法步骤G1)，其中所述方法步骤包括：

F1)将第一生长材料(6a)面状地施加到所述第一钝化材料(4a)上和施加到所述第三钝化材料(4c)上，

F2)借助第三掩模结构(222)定向地剥除所述第一生长材料(6a)，并且随后在区域(B)中剥除所述第三钝化材料(4c)和所述第一钝化材料(4a)，其中所述第三掩模结构(222)在背离所述半导体本体(1)的一侧(222a)上与在朝向所述半导体本体(1)的一侧(222b)上相比更宽地成形，其中在所述区域(B)中，所述第一生长材料(6a)也不通过所述第三掩模结构(222)覆盖，在所述区域(B)处所述第一钝化材料(4a)不通过所述第三钝化材料(4c)覆盖，和

G1)剥离所述第三掩模结构(222)和所述第一生长材料(6a)。

3.根据上一项权利要求所述的方法，

其中在方法步骤G)中，在所述第三掩模结构(222)之间施加所述接触结构(7)。

4.根据权利要求2或3所述的方法，

其中在方法步骤F2)之后和在方法步骤G)之前，在所述第三掩模结构(222)之间面状地且非定向地施加第二生长材料(6b)。

5.根据上一项权利要求所述的方法，

其中将所述接触结构(7)在所述第三掩模结构(222)之间电镀地成形在所述第二生长材料(6b)上。

6.根据权利要求1或2所述的方法，

其中将所述囊封件(8)施加到所述接触结构(7)和所述半导体本体(1)上，后续地在背离所述半导体本体(1)的一侧上露出所述接触结构(7)，并且分别将接触金属化部(9)施加在所述接触结构(7)的露出的侧部上。

7.根据权利要求6所述的方法，

其中所述接触金属化部(9)的形状彼此不同。

8.根据权利要求1或2所述的方法，

其中所述凹部(A)包括第一类型(A2)和第二类型(A3)，其中所述第二类型(A3)构成为分离沟槽。