[发明专利]在单一衬底上包括多个纳米结构梯度的纳米结构化衬底的制造

权利要求书

1.一种制造纳米结构化衬底的方法，所述纳米结构化衬底包括由突出式纳米结构所组成的阵列，所述方法至少包括下述步骤：

a)提供初级衬底；

b)在所述初级衬底上沉积至少一个梯度化层，所述至少一个梯度化层由能够借助于反应离子蚀刻(RIE)去除的材料形成，所述梯度化层包括预定的厚度梯度；

c)在步骤b)中所沉积的梯度化层上沉积纳米结构化蚀刻掩模；

d)借助于反应离子蚀刻(RIE)在步骤b)中所沉积的梯度化层中形成突出式结构，其中，在同一衬底上同时形成所述突出式结构的几何参数的至少2个预定的连续梯度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述突出式纳米结构为纳米柱。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步骤d)中，在同一衬底上同时形成所述突出式结构的几何参数的3个预定的连续梯度。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤b)中所沉积的层包括2维或3维的厚度梯度。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述几何参数选自以下组，该组包括所述突出式结构的高度、直径和间距。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述纳米结构化蚀刻掩模包括由纳米颗粒所组成的阵列，所述阵列借助于胶束二嵌段或多嵌段共聚物纳米光刻来提供。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述蚀刻包括利用蚀刻剂的至少一个处理，所述蚀刻剂选自以下组，该组包括氯、气态氯化合物、氟化烃、碳氟化合物、氧、氩、SF₆以及它们的混合物。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述蚀刻包括将Ar/SF₆/O₂或Ar/SF₆组成的混合物用作蚀刻剂的至少一个处理和将Ar/CHF₃组成的混合物用作蚀刻剂的至少一个处理。

9.根据权利要求1、2、8中任一项所述的方法，其特征在于，每个蚀刻处理以30秒至60分钟的时长执行。

10.根据权利要求1、2、8中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括机械处理所形成的突出式结构。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述机械处理为超声处理。

12.根据权利要求1、2、8、11中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括借助于反应离子束蚀刻(RIBE)、化学辅助的离子束蚀刻(CAIBE)、反应离子蚀刻(RIE)或感应耦合等离子体(RIE-ICP)实施的另外的蚀刻处理，其中，将步骤b)中沉积的所述梯度化层中所形成的突出式结构用作蚀刻掩模，并且在所述初级衬底中对应于上方的所述梯度化层的突出式结构地形成突出式结构的梯度并且部分地或完全地去除所述初级衬底上方的层。

13.一种纳米结构化衬底，所述纳米结构化衬底包括由突出式纳米结构所组成的阵列，其中，所述突出式纳米结构在单一衬底上包括所述突出式纳米结构的几何参数的至少2个连续梯度，其特征在于，所述纳米结构化衬底是光学元件，并且，所述突出式结构形成所述光学元件上的抗反射表面结构。

14.根据权利要求13所述的纳米结构化衬底，其特征在于，所述突出式结构是纳米柱。

15.根据权利要求13或14所述的纳米结构化衬底，其特征在于，所述突出式纳米结构在单一衬底上包括所述突出式纳米结构的几何参数的3个连续梯度。