[发明专利]具有环路分布的场效应晶体管单元的场效应晶体管

权利要求书

1.一种场效应晶体管(FET)，包括：

具有被布置在衬底的表面上的多个源极焊盘、多个漏极焊盘以及多个栅电极的多个FET单元；所述FET单元中的每一个FET单元具有所述栅电极的其中一个相应的栅电极，所述相应的栅电极被布置在所述源极焊盘的其中一个源极焊盘与所述漏极焊盘的其中一个漏极焊盘之间；

被连接至所述FET单元中的每一个FET单元的栅电极的栅极触点；

被连接至所述FET单元中的每一个FET单元的漏极焊盘的漏极触点；

被连接至所述FET单元中的每一个FET单元的源极焊盘的源极触点；

其中，所述FET单元呈环路构型布置；

所述场效应晶体管还包括被布置在所述衬底的上表面上并且连接至所述多个栅电极的栅极焊盘，所述栅极触点被布置在所述衬底的底部表面上，并且导电栅极过孔穿过所述衬底以将所述栅极触点电连接至所述栅极焊盘。

2.根据权利要求1所述的FET，其特征在于，所述栅极焊盘被布置在所述环路构型的内部区域中。

3.根据权利要求2所述的FET，其特征在于，所述栅电极从所述栅极焊盘向外突出。

4.根据权利要求2所述的FET，其特征在于，所述源极触点或所述漏极触点的其中一个被布置在所述衬底的所述底部表面上。

5.根据权利要求4所述的FET，其特征在于，所述源极触点或所述漏极触点的其中一个是被布置在所述衬底的所述底部表面上的导体，并且通过穿过所述衬底的多个导电过孔的其中一个相应的导电过孔连接至所述FET单元中的每一个FET单元的源极焊盘或漏极焊盘中的相应一个。

6.根据权利要求5所述的FET，其特征在于，还包括被布置在所述衬底的底部上的带状导体，馈送线的一端通过穿过所述衬底的栅极过孔连接至所述栅极触点，所述馈送线与布置在所述衬底的所述底部表面上的所述导体隔开。

7.根据权利要求6所述的FET，其特征在于，布置在所述衬底的所述底部表面上的所述带状导体和所述导体提供共面波导传输线。

8.根据权利要求7所述的FET，其特征在于，所述栅极过孔与所述多个导电过孔提供准同轴传输线。

9.根据权利要求1所述的FET，其特征在于，所述环路构型是圆。

10.根据权利要求9所述的FET，其特征在于，所述栅极焊盘被布置在所述圆的中心处。

11.根据权利要求10所述的FET，其特征在于，所述栅电极从所述栅极焊盘向外突出。

12.根据权利要求10所述的FET，其特征在于，所述源极触点或所述漏极触点的其中一个被布置在所述衬底的所述底部表面上。

13.根据权利要求11所述的FET，其特征在于，所述源极触点或所述漏极触点的其中一个是被布置在所述衬底的所述底部表面上的导体，并且通过穿过所述衬底的多个导电过孔的其中一个相应的导电过孔连接至所述FET单元中的每一个FET单元的相应源极或漏极。

14.根据权利要求13所述的FET，其特征在于，还包括被布置在所述衬底的底部上的带状导体，馈送线的一端被连接至所述栅极触点，所述馈送线与布置在所述衬底的所述底部表面上的所述导体隔开。

15.根据权利要求14所述的FET，其特征在于，被布置在所述衬底的所述底部表面上的所述带状导体和所述导体提供共面波导传输线。

16.根据权利要求15所述的FET，其特征在于，所述栅极过孔与所述多个导电过孔提供准同轴传输线。