[发明专利]一种光耦合装置和方法有效
| 申请号： | 201680048937.3 | 申请日： | 2016-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN107924034B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 赵庆;宋小鹿;曾理;冀瑞强;李彦波 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/42 | 分类号： | G02B6/42 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 耦合 装置 方法 | ||
1.一种光耦合装置，其特征在于，所述光耦合装置包括：第一光芯片、第二光芯片和光写波导块；
所述第一光芯片通过第一耦合方式和所述光写波导块进行耦合，所述第二光芯片通过第二耦合方式和所述光写波导块进行耦合，所述第一耦合方式和所述第二耦合方式分别包括绝热耦合器AC、光栅耦合器GC、边缘耦合器EC中任意一种或多种，所述光写波导块是通过激光器发出激光聚焦在波导基底内改变波导基底内的折射率形成的；
所述第一光芯片和所述第二光芯片通过所述光写波导块进行光互联。
2.如权利要求1所述的光耦合装置，其特征在于，所述光耦合装置还包括电基板，
所述第一光芯片和所述第二光芯片设置于所述电基板的表面；
所述第一光芯片和所述电基板进行电互联，所述第二光芯片和所述电基板进行电互联。
3.如权利要求2所述的光耦合装置，其特征在于，所述光写波导块至少部分设置于所述电基板的内部。
4.如权利要求1或2任一所述光耦合装置，其特征在于，所述光写波导块设置于所述第一光芯片和/或所述第二光芯片的上表面。
5.如权利要求1或2任一所述的光耦合装置，其特征在于，所述光写波导块至少部分设置于所述第一光芯片和所述第二光芯片之间。
6.一种光耦合装置，其特征在于，所述光耦合装置包括：光芯片、光写波导块和光纤；
所述光芯片通过第一耦合方式和所述光写波导块进行耦合，所述光纤通过第二耦合方式和所述光写波导块进行耦合，所述第一耦合方式包括绝热耦合器AC、光栅耦合器GC、边缘耦合器EC中任意一种或多种，所述光写波导块是通过激光器发出激光聚焦在波导基底内改变波导基底内的折射率形成的；
所述光芯片和所述光纤通过所述光写波导块进行光互联。
7.如权利要求6所述的光耦合装置，其特征在于，所述第二耦合方式包括EC。
8.如权利要求7所述的光耦合装置，其特征在于，所述光耦合装置还包括电基板，
所述光芯片设置于所述电基板的表面，所述光芯片和所述电基板进行电互联。
9.如权利要求6-8任一所述的光耦合装置，其特征在于，所述光写波导块至少部分设置于所述光芯片的上表面。
10.一种光耦合方法，其特征在于，所述方法包括：
光信号从第一光芯片中出射，通过第一耦合方式和光写波导块进行耦合，所述第一耦合方式和第二耦合方式分别包括绝热耦合器AC、光栅耦合器GC、边缘耦合器EC中任意一种或多种，所述光写波导块是通过激光器发出激光聚焦在波导基底内改变波导基底内的折射率形成的；
所述光信号从所述光写波导块中出射，通过第二耦合方式和第二光芯片进行耦合。
11.一种光耦合方法，其特征在于，所述方法包括：
光信号从光芯片中出射，通过第一耦合方式和光写波导块进行耦合，所述第一耦合方式包括绝热耦合器AC、光栅耦合器GC、边缘耦合器EC中任意一种或多种，所述光写波导块是通过激光器发出激光聚焦在波导基底内改变波导基底内的折射率形成的；
所述光信号从所述光写波导块中出射，通过第二耦合方式和光纤进行耦合。
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