[发明专利]气体喷射系统及对衬底施加残留物移除气体的方法有效

专利信息
申请号: 201680049111.9 申请日: 2016-08-17
公开(公告)号: CN107924805B 公开(公告)日: 2019-08-27
发明(设计)人: 杰伊·沃利斯;厄尼斯特·艾伦;理查德·赫尔特;凯文·丹尼尔斯;葛兰·吉尔克里斯特 申请(专利权)人: 瓦里安半导体设备公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/67
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 马爽;臧建明
地址: 美国麻萨诸塞*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 离子束 装置 气体 喷射 系统
【权利要求书】:

1.一种气体喷射系统,用于离子束装置,其特征在于,所述气体喷射系统包括:

提取板,具有允许离子束通过所述提取板的提取孔;以及

气体分配器,安置于在所述提取板中所形成的凹槽内且可移除地耦合至所述提取板,所述气体分配器中形成有气体孔口,

所述提取板具有延伸贯穿所述提取板内部的气体导管,所述气体导管与所述凹槽流体连通,以对所述凹槽供应气体。

2.根据权利要求1所述的气体喷射系统,其中所述气体导管在所述凹槽与安装至所述提取板的气体歧管之间延伸。

3.根据权利要求1所述的气体喷射系统,其中所述气体分配器是第一气体分配器,且其中所述提取板还包括第二气体分配器,所述第二气体分配器中形成有气体孔口。

4.根据权利要求3所述的气体喷射系统,其中所述第一气体分配器位于所述提取孔的第一侧上,且所述第二气体分配器位于所述提取孔的与所述第一侧相对的第二侧上。

5.根据权利要求4所述的气体喷射系统,还包括第一气体导管及第二气体导管,所述第一气体导管在所述第一气体分配器与安装至所述提取板的气体歧管之间延伸贯穿所述提取板,所述第二气体导管在所述第二气体分配器与所述气体歧管之间延伸贯穿所述提取板。

6.根据权利要求5所述的气体喷射系统,还包括被连接成与所述气体歧管流体连通的气体源,所述气体源含有残留物移除气体。

7.根据权利要求4所述的气体喷射系统,还包括第一气体导管及第二气体导管,所述第一气体导管在所述第一气体分配器与安装至所述提取板的第一气体歧管之间延伸贯穿所述提取板,所述第二气体导管在所述第二气体分配器与安装至所述提取板的第二气体歧管之间延伸贯穿所述提取板。

8.根据权利要求7所述的气体喷射系统,还包括被连接成与所述第一气体歧管流体连通的第一气体源、及被连接成与所述第二气体歧管流体连通的第二气体源,所述第一气体源含有第一残留物移除气体,所述第二气体源含有第二残留物移除气体。

9.一种对衬底施加残留物移除气体的方法,其特征在于,包括:

在离子束装置的提取板的前面扫描所述衬底;

自气体源对所述提取板供应所述残留物移除气体;以及

在所述提取板中自气体分配器的气体孔口放出所述残留物移除气体,

所述气体分配器安置于在所述提取板中所形成的凹槽内且可移除地耦合至所述提取板,所述提取板具有延伸贯穿所述提取板内部的气体导管,所述气体导管与所述凹槽流体连通,以对所述凹槽供应气体。

10.根据权利要求9所述对衬底施加残留物移除气体的方法,其中所述气体分配器是位于所述提取板的提取孔的第一侧上的第一气体分配器,所述对衬底施加残留物移除气体的方法还包括自所述气体源对第二气体分配器供应所述残留物移除气体,并自所述第二气体分配器中的气体孔口放出所述残留物移除气体,所述第二气体分配器位于所述提取孔的与所述第一侧相对的第二侧上。

11.根据权利要求9所述对衬底施加残留物移除气体的方法,还包括控制器,所述控制器通过所述衬底相对于所述提取板的移动而自动地协调所述残留物移除气体自所述气体孔口的放出。

12.根据权利要求9所述对衬底施加残留物移除气体的方法,其中所述残留物移除气体是第一残留物移除气体,且所述气体分配器是位于所述提取板的提取孔的第一侧上的第一气体分配器,所述方法还包括自第二气体源对第二气体分配器供应第二残留物移除气体,并自所述第二气体分配器中的气体孔口放出所述第二残留物移除气体,所述第二气体分配器位于所述提取孔的与所述第一侧相对的第二侧上。

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