[发明专利]光电变换装置

权利要求书

1.一种光电变换装置，其特征在于，

具备：

p型、n型相互极性不同的半导体层与量子点集成膜被p/n结合的光电变换层；和

被设置于该光电变换层的两面的电极层，

所述量子点集成膜具备能级不同的两层以上的量子点层，

所述量子点层具有量子点和配置于该量子点周围的阻挡层，在两层以上的所述量子点层之间，所述阻挡层的成分以及厚度当中的至少一方不同，

在所述量子点集成膜是p型时，在靠近所述p/n结合的面的一方配置有价电子带的能级B_V与费米能级Ef之差大的量子点层，

在所述量子点集成膜是n型时，在靠近所述p/n结合的面的一方配置有传导带的能级B_C与费米能级Ef之差大的量子点层。

2.根据权利要求1所述的光电变换装置，其特征在于，

两层以上的所述量子点层中的所述阻挡层的成分是无机质。

3.根据权利要求1所述的光电变换装置，其特征在于，

两层以上的所述量子点层中的所述阻挡层的成分是有机质。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的光电变换装置，其特征在于，

所述量子点包含与该量子点的主成分不同的元素，在两层以上的所述量子点层之间，所述元素的化合价以及所述元素的浓度当中的至少一方不同。