[发明专利]电触头以及电气部件用插座

说明书

接触引脚(32)被设置于收容IC封装体的插座主体，并与所收容的IC封装体的连接端子电接触。接触引脚(32)在具有导电性的基材(62)的表面层叠有多层，具有：在基材(62)上被形成为镀Ni层的基层(64)、在基层(64)上被形成为Pd－Ni合金镀层的第1表层(68)、在第1表层(68)上被形成为与以往的镀Ag层相比连接端子的Sn扩散的速度较慢的镀Ni层的第2表层(70)、以及在第2表层(70)上被形成为电触点层即镀Au层的最表层(72)。

技术领域

本发明涉及一种将电气部件与布线基板电连接的电触头以及具备该电触头、可装卸地收容电气部件并且配置固定于布线基板上的电气部件用插座。

背景技术

以往以来，作为电气部件用插座，存在收容作为电气部件的IC(IntegratedCircuit，集成电路)封装体、并且进行老化试验等性能试验的IC插座。在上述IC插座中，作为将IC封装体与布线基板电连接的电触头，具备对表面实施了金属镀敷的接触引脚。另一方面，IC封装体具备与IC插座的接触引脚电接触的连接端子。作为该连接端子，存在包括主要成分为锡且不含有铅的所谓无铅焊料而形成的连接端子。

但是，例如在将IC封装体应用于发动机室内的控制单元的等情况下，IC封装体所要求的使用温度环境处于高温化的倾向，与此相伴地，在老化试验中设定的试验温度也处于变高(例如，变成150℃以上)的倾向。如果这样使试验温度高温化而实施老化试验，则IC封装体的连接端子中含有的锡熔入扩散到形成于IC插座的接触引脚的表面的金属镀层从而进行合金化的速度变快。而且，在接触引脚与连接端子贴合的状态下，在从IC插座拆卸IC封装体时，形成于接触引脚的金属镀层与IC封装体的连接端子的界面的合金层断裂，金属镀层的一部分被连接端子夺走，所以，如果试验温度高温化而合金化速度变快，则合金层的形成量增加，金属镀层的减少加快。

因此，作为接触引脚，公知了如下接触引脚：针对基层的镍镀敷，层叠地形成钯－镍合金镀层，并且，进一步地在其外侧，形成有与钯－镍合金镀层相比锡的扩散速度较慢的镀银层作为最表层(例如，参照专利文献1)。

在上述接触引脚中，即使在IC封装体的连接端子中含有的锡熔入扩散到接触引脚的金属镀层中，在接触引脚的金属镀层与IC封装体的连接端子的界面处，最初也仅形成极薄的银－锡合金层，所以，在从IC插座拆卸IC封装体的情况下，能够将镀银层被夺走到IC封装体的连接端子侧的量抑制为最小限度。由此，通过使锡对内侧的钯－镍合金镀层的扩散变慢，从而使钯－镍合金镀层由于与锡的合金化而被夺走到IC封装体的连接端子侧而减少的速度降低。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2014－182976号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

然而，如果在老化试验中设定的试验温度进一步变高(例如，200℃以上)，则形成于接触引脚的金属镀层与IC封装体的连接端子的界面的银－锡合金层的形成量增加，所以，镀银层容易被夺走到IC封装体的连接端子侧。镀银层使锡对钯－镍合金镀层的扩散变慢，所以，如果镀银层的减少加速，则Sn对钯－镍合金镀层的扩散加速，钯－镍合金镀层容易减少，作为基底的镀镍层的露出有可能早期化。

与此相对地，还考虑使镀银层的镀敷厚度大幅增大，使直至镀银层消失为止的使用次数增加，但会对接触引脚的尺寸、进而对与IC插座的嵌合造成影响，不优选。

因此，应对这样的问题点，本发明要解决的技术问题在于，提供一种在针对电气部件的性能试验中设定的试验温度上升的情况下能够抑制表面镀敷厚度的大幅增大、并且使直至基层露出为止的使用次数增加的电触头以及具备该电触头的电气部件用插座。

解决技术问题的技术手段