[发明专利]离子选择电极、其制作方法和电极盒有效
申请号: | 201680049256.9 | 申请日: | 2016-08-30 |
公开(公告)号: | CN107923866B | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 石毛悠;沃尔夫冈·舒曼;斯特凡·克林克 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术 |
主分类号: | G01N27/333 | 分类号: | G01N27/333 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离子 选择 电极 制作方法 | ||
1.一种固体接触型离子选择电极,其具有:
以第一族元素的离子、第二族元素的离子、水合氢离子或铵离子作为对象离子的离子感应膜;
离子吸储物质层;以及
导电性电极,
所述离子吸储物质层中包含的离子吸储物质吸储有所述对象离子,
所述离子吸储物质为结构式AaMx[M’(CN)6]y·kH2O所表示的普鲁士蓝类似物,
A为一种或多种的第一族元素、第二族元素、水合氢或铵,
M和M’为一种或多种的过渡金属,
M或M’包含镍、钴、铜、银、镉中的至少一种,
x、y大于0,a、k为0以上的数,
所述离子吸储物质层的离子吸储率处于0.1~0.9的范围。
2.一种电极盒,其为具有多个固体接触型离子选择电极的电极盒,
将所述固体接触型离子选择电极中的一个设为离子选择电极A,并将所述离子选择电极中的另一个设为离子选择电极B时,
所述离子选择电极A和所述离子选择电极B具有:
以第一族元素的离子、第二族元素的离子、第十七族元素的离子、水合氢离子或铵离子作为对象离子的离子感应膜;
离子吸储物质层;以及
导电性电极,
所述离子吸储物质层中包含的离子吸储物质吸储有所述对象离子,
所述离子吸储物质为多孔配位高分子,
所述离子选择电极A的所述对象离子与所述离子选择电极B的所述对象离子不同,
所述离子吸储物质层的离子吸储率处于0.1~0.9的范围。
3.一种制作固体接触型离子选择电极的方法,其中,
所述固体接触型离子选择电极具有以第一族元素的离子、第二族元素的离子、第十七族元素的离子、水合氢离子或铵离子作为对象离子的离子感应膜;离子吸储物质层;以及导电性电极,
所述离子吸储物质为多孔配位高分子,
制作所述多孔配位高分子的工序包含:
混合包含过渡金属M的溶液A与包含过渡金属M’的溶液B的工序;以及
从通过所述混合得到的生成物中回收所述多孔配位高分子的工序,
还包含:
调查所回收的多孔配位高分子的状态的工序;以及
基于所述状态来调节所述溶液A中包含的所述过渡金属M的不同价态的混合量比或者所述溶液A与所述溶液B的混合量比的工序,
在所述调查所回收的多孔配位高分子的状态的工序中,将所述离子吸储物质层的离子吸储率处于0.1~0.9的范围作为判定的条件,
所述过渡金属M与所述过渡金属M’相同或者不同,
至少所述溶液A包含不同价态的过渡金属M,
所述溶液A和所述溶液B中的至少一者包含有机配体。
4.根据权利要求3所述的制作固体接触型离子选择电极的方法,其中,在所述调查所回收的多孔配位高分子的状态的工序中进行元素分析。
5.根据权利要求3所述的制作固体接触型离子选择电极的方法,其中,在所述调查所回收的多孔配位高分子的状态的工序中进行电位测量。
6.根据权利要求3所述的制作固体接触型离子选择电极的方法,其中,在所述调查所回收的多孔配位高分子的状态的工序中进行吸光度测量。
7.一种制作固体接触型离子选择电极的方法,其中,
所述固体接触型离子选择电极具有以第一族元素的离子、第二族元素的离子、第十七族元素的离子、水合氢离子或铵离子作为对象离子的离子感应膜;离子吸储物质层;以及导电性电极,
作为制作所述离子吸储物质层的工序,包含:
使离子吸储物质分散于溶液的工序;
向分散有所述离子吸储物质的溶液中添加氧化还原物质的工序;以及
回收通过添加所述氧化还原物质而调节了离子吸储率的离子吸储物质的工序,
将所述离子吸储物质层的离子吸储率调节至0.1~0.9的范围。
8.一种制作固体接触型离子选择电极的方法,其中,
所述固体接触型离子选择电极具有以第一族元素的离子、第二族元素的离子、第十七族元素的离子、水合氢离子或铵离子作为对象离子的离子感应膜;离子吸储物质层;以及导电性电极,
作为制作所述离子吸储物质层的工序,包含:
制备所述对象离子的离子吸储率为第一值的第一离子吸储物质的工序;
制备所述对象离子的离子吸储率为第二值的第二离子吸储物质的工序;以及
将所述第一离子吸储物质与所述第二离子吸储物质进行混合的工序,
将所述离子吸储物质层的离子吸储率调节至0.1~0.9的范围。
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