[发明专利]薄膜晶体管、显示器设备及薄膜晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括基底(101)、半导体层(10)、绝缘层(40)、源极(20)、漏极(30)和栅极(50)，所述半导体层(10)设置在所述基底(101)上，其特征在于，

所述半导体层(10)的两端分别形成有一第一掺杂区域(11)，所述源极(20)与所述漏极(30)分别对应设置在两个所述第一掺杂区域(11)上，所述半导体层(10)的两个所述第一掺杂区域(11)之间具有间隔设置的多个第二掺杂区域(12)；

所述栅极(50)设置在所述源极(20)与所述漏极(30)之间，且所述栅极(50)与所述漏极(30)的距离较所述栅极(50)与所述源极(20)的距离远，从而所述栅极(50)与所述漏极(30)之间的半导体层(10)形成偏移区域，所述多个第二掺杂区域(12)位于所述偏移区域；

所薄膜晶体管还包括多个悬空电极(60)，所述绝缘层(40)遮盖在所述偏移区域未形成有所述多个第二掺杂区域(12)的区域，所述多个悬空电极(60)对应设置于该绝缘层(40)上，所述栅极(50)与相邻的一所述悬空电极(60)之间具有一个所述第二掺杂区域(12)，剩余的所述悬空电极(60)中的每相邻两个之间具有一个所述第二掺杂区域(12)；

所述第一掺杂区域(11)中所掺杂物质的剂量大于所述第二掺杂区域(12)中所掺杂物质的剂量；

所述第一掺杂区域(11)中所掺杂物质与所述第二掺杂区域(12)中所掺杂物质相同。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，沿所述源极(20)向所述漏极(30)的方向，多个所述第二掺杂区域(12)的水平横截宽度依次缩小。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二掺杂区域(12)的数量为三个、四个或五个中之一。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所掺杂物质为磷离子或硼离子。

5.一种显示器设备，其特征在于，该显示器设备包括权利要求1至4中任一项所述的薄膜晶体管。

6.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基底(101)，并在基底(101)上形成半导体层(10)；

在所述半导体层(10)远离所述基底(101)的一侧形成绝缘层(40)，并在所述绝缘层(40)上对应地设置一个栅极(50)及多个悬空电极(60)，所述栅极(50)与所述悬空电极(60)之间以及相邻两个所述悬空电极(60)之间均间隔设置；

对所述半导体层(10)的两端进行掺杂处理以分别形成一第一掺杂区域(11)，并对未被所述栅极(50)和所述多个悬空电极(60)遮盖的半导体层(10)进行掺杂处理以形成多个第二掺杂区域(12),所述第一掺杂区域(11)中所掺杂物质的剂量大于所述第二掺杂区域(12)中所掺杂物质的剂量，所述第一掺杂区域(11)中所掺杂物质与所述第二掺杂区域(12)中所掺杂物质相同；

在两个所述第一掺杂区域(11)上分别相应地设置源极(20)和漏极(30)。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在形成所述绝缘层(40)、所述栅极(50)和所述多个悬空电极(60)过程中，在所述半导体层(10)上依次形成绝缘材料层及金属层，同时图案化所述绝缘材料层及所述金属层，所述绝缘材料层形成绝缘层(40)，所述金属层形成栅极(50)和多个悬空电极(60)。