[发明专利]多区块系统中的可编程的片上端接定时

权利要求书

1.一种存储器控制器，包括：

硬件接口，其耦合到存储器设备；以及

命令逻辑，其用于利用第一片上端接ODT延迟设置动态编程第一寄存器地址以用于控制针对所述存储器设备的读取操作的ODT接通时间或关断时间，以及利用第二ODT延迟设置动态编程第二寄存器地址以用于控制针对写入操作的ODT接通时间或关断时间；

其中，所述命令逻辑用于发送存储器存取命令，所述存储器存取命令使得所述存储器设备：当所述存储器存取命令是读取命令时根据所述第一ODT延迟设置来应用ODT，并且当所述存储器存取命令是写入命令时根据所述第二ODT延迟设置来应用ODT。

2.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，所述ODT延迟设置包括定时偏移值。

3.根据权利要求2所述的存储器控制器，其中，所述第一ODT延迟设置和所述第二ODT延迟设置包括定时偏移值，其中，所述定时偏移值包括以下中的至少一个：

读取ODT定时值，包括用于对在列地址选择(CAS)延迟之前的接通时间进行调整的偏移、用于对在CAS延迟之后的关断时间进行调整的偏移、或两者；

读取ODT定时值，包括用于对在CAS延迟加上突发长度延迟之后的关断时间进行调整的偏移；

写入ODT定时值，包括用于对在写入延迟之前的接通时间进行调整的偏移、用于对在写入延迟之后的关断时间进行调整的偏移、或两者；或者

写入ODT定时值，包括用于对在写入延迟加上突发长度延迟之后的关断时间进行调整的偏移。

4.根据权利要求2所述的存储器控制器，其中，所述定时偏移值包括1到8个时钟周期(tCK)的偏移值。

5.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，所述ODT延迟设置包括基于所述存储器设备与所述存储器控制器之间的I/O训练而被编程的值。

6.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，所述存储器存取命令用于触发所述存储器设备的ODT电路以用于根据所述第一ODT延迟设置或所述第二ODT延迟设置选择性地占用ODT以用于不执行所述存储器存取命令的非目标区块。

7.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，所述存储器存取命令用于触发所述存储器设备的ODT电路以用于基于所述存储器存取命令的命令编码中的标识符而选择性地占用ODT，其中，所述标识符用于标识ODT定时类型。

8.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，所述第一寄存器地址和所述第二寄存器地址包括模式寄存器的字段。

9.一种存储器设备，包括：

硬件接口，其耦合到存储器总线；

片上端接ODT电路，其用于响应于接收到存储器存取命令选择性地应用ODT到所述硬件接口；

第一寄存器地址，其用于存储动态可编程的第一ODT延迟设置以用于控制ODT接通时间或关断时间，以供所述ODT电路针对读取操作选择性地应用ODT；以及

第二寄存器地址，其用于存储动态可编程的第二ODT延迟设置以用于控制ODT接通时间或关断时间，以供所述ODT电路针对写入操作选择性地应用ODT。

10.根据权利要求9所述的存储器设备，其中，所述ODT延迟设置包括定时偏移值。

11.根据权利要求10所述的存储器设备，其中，所述定时偏移值包括至少一个读取ODT定时值，所述至少一个读取ODT定时值包括用于对在列地址选择(CAS)延迟之前的接通时间进行调整的偏移、用于对在CAS延迟之后的关断时间进行调整的偏移、或两者。

12.根据权利要求10所述的存储器设备，其中，所述定时偏移值包括至少一个写入ODT定时值，所述至少一个写入ODT定时值包括用于对在写入延迟之前的接通时间进行调整的偏移、用于对在写入延迟之后的关断时间进行调整的偏移、或两者。