[发明专利]SiC复合基板的制造方法和半导体基板的制造方法有效
| 申请号： | 201680049584.9 | 申请日： | 2016-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN108140540B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 久保田芳宏;秋山昌次;长泽弘幸 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社;CUSIC股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 杜丽利 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 复合 制造 方法 半导体 | ||
1.SiC复合基板的制造方法，其为在多晶SiC基板上具有单晶SiC层的SiC复合基板的制造方法，其特征在于，在由Si构成的保持基板的单面设置单晶SiC层而制作了单晶SiC层负载体后，对所述单晶SiC层负载体中的保持基板的与单晶SiC层负载面的相反面施加物理损伤，从而对该单晶SiC层负载体赋予翘曲,接着，在该单晶SiC层上采用物理的或化学的手段沉积多晶SiC，制作在保持基板上层叠有单晶SiC层和多晶SiC基板的SiC层叠体，然后将所述保持基板以物理方式和/或化学方式除去。
2.权利要求1所述的SiC复合基板的制造方法，其特征在于，在所述单晶SiC层上沉积了多晶SiC后，对所述SiC层叠体中的多晶SiC基板的与单晶SiC层的接触面的相反面施加物理损伤，然后，将保持基板除去。
3.SiC复合基板的制造方法，其为在多晶SiC基板上具有单晶SiC层的SiC复合基板的制造方法，其特征在于，在由Si构成的保持基板的单面设置单晶SiC层而制作了单晶SiC层负载体后，在该单晶SiC层上采用物理的或化学的手段沉积多晶SiC，制作在保持基板上层叠有单晶SiC层和多晶SiC基板的SiC层叠体，接着，对所述SiC层叠体中的多晶SiC基板的与单晶SiC层的接触面的相反面施加物理损伤，然后将所述保持基板以物理方式和/或化学方式除去。
4.权利要求1～3的任一项所述的SiC复合基板的制造方法，其特征在于，采用选自喷砂加工、磨削加工、切削加工、激光加工和放电加工中的至少一个加工方法来施加所述物理损伤。
5.权利要求1～3的任一项所述的SiC复合基板的制造方法，其特征在于，在所述保持基板的单面经由由氧化硅、氮化硅或氧氮化硅构成的中间层设置单晶SiC层。
6.权利要求1～3的任一项所述的SiC复合基板的制造方法，其特征在于，将采用离子注入剥离法从单晶SiC基板剥离的单晶SiC薄膜转印到所述保持基板上，从而设置所述单晶SiC层。
7.权利要求1～3的任一项所述的SiC复合基板的制造方法，其特征在于，采用化学气相沉积法在所述单晶SiC层上沉积多晶SiC。
8.半导体基板的制造方法，其特征在于，采用权利要求1～3的任一项所述的SiC复合基板的制造方法制造SiC复合基板，将该SiC复合基板作为模板，在所述单晶SiC层上进一步使SiC单晶异质外延生长，从而层叠单晶SiC。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
