[发明专利]光刻系统的传感器布置、光刻系统以及操作光刻系统的方法

权利要求书

1.一种传感器布置(1)，用于感测在光刻系统中的光学元件的位置，其中所述传感器布置(1)包括：

第一电容传感器装置(2)，其具有使用第一激励信号(V_ex1)能感测的位置相关可变的第一传感器电容(C_CS1)；

第二电容传感器装置(3)，其具有使用第二激励信号(V_ex2)能感测的位置相关可变的第二传感器电容(C_CS2)；

第一读取装置(4)，其与所述第一传感器装置(2)相关联；

第二读取装置(5)，其与所述第二传感器装置(3)相关联；以及

控制装置(8)，其为产生所述第一激励信号和所述第二激励信号(V_exl、V_ex2)而搭建，使得在与所述第一传感器装置(2)关联的寄生电容上存在的电荷至少部分地由与所述第二传感器装置(3)关联的寄生电容上存在的电荷经由在所述第一激励信号路径和/或所述第二激励信号路径外侧的信号路径来补偿。

2.根据权利要求1所述的传感器布置，其中所述第一激励信号和所述第二激励信号(V_ex1、V_ex2)相互反向，特别是关于偏置电位(V_bias)相互相反。

3.根据权利要求1或2所述的传感器布置，其中所述第一激励信号和/或所述第二激励信号(V_ex1、V_ex2)是AC电压信号，特别地是方波信号。

4.根据权利要求1所述的传感器布置，其中所述第一激励信号和/或所述第二激励信号(V_ex1、V_ex2)是具有在规定激励周期内的规定额定电压特性(V_exnorm)的电压信号(V_ex)。

5.根据权利要求4所述的传感器布置，其中在所述激励周期的第一激励阶段(T1)中的所述电压信号(V_ex)的振幅设定为大于对应于所述额定电压特性的额定振幅(V_exnorm)。

6.根据权利要求5所述的传感器布置，其中在第二激励阶段(T2)中的所述电压信号的振幅对应于所述额定振幅(V_exnorm)，并且所述第一激励阶段和所述第二激励阶段(T1、T2)形成所述激励周期。

7.根据权利要求4-6中任一项所述的传感器布置，其中所述第一激励信号和/或所述第二激励信号对应于在规定的暂停周期内的连续激励周期之间的参考电位(V_ref)。

8.根据权利要求1或2所述的传感器布置，其中所述第一激励信号和/或所述第二激励信号(V_ex1、V_ex2)的振幅基于感测的寄生电容设定。

9.根据权利要求1所述的传感器布置，还具有基底元件(13)、用于保持光学元件的结构元件(14)和用于在所述基底元件(13)上可移动地支撑所述结构元件(14)的承载元件(15)。

10.根据权利要求9所述的传感器布置，其中所述第一传感器装置和/或所述第二传感器装置(11)至少包括第一电容器元件和第二电容器元件(18、19)以及第三电容器元件(20)，所述第一电容器元件和第二电容器元件(18、19)相对彼此固定，所述第三电容器元件(20)相对所述第一电容器元件和所述第二电容器元件(18、19)是可移动的，所述传感器电容(C_CS1)基于电容器元件(18、19、20)的相对于彼此的位置而在所述第一电容器元件和所述第二电容器元件(18、19)之间出现，所述传感器电容能够使用所述激励信号(V_ex1)来感测，所述激励信号(V_ex1)能经由供电线(26)耦合到所述第一电容器元件和所述第二电容器元件(18、19)。