[发明专利]用于并行读和写操作的系统、方法和器件

权利要求书

1.一种用于并行读和写操作的器件，包括：

第一传输器件，其耦合到局部位线和与存储器阵列的存储器单位相关联的全局位线，所述第一传输器件被配置为选择性地将所述全局位线耦合到所述局部位线；

第一器件，其耦合到所述局部位线和感测放大器，所述第一器件被配置为响应于低电压操作而选择性地将所述局部位线耦合到所述感测放大器，其中，所述第一器件还被配置为响应于高电压操作或所述存储器单位未被选择而将所述局部位线与所述感测放大器解耦；和

第二器件，其耦合到所述局部位线和电接地，所述第二器件被配置为响应于所述存储器单位未被选择而选择性地将所述局部位线耦合到所述电接地，并且其中，所述第二器件还被配置为响应于所述高电压操作或所述低电压操作而将所述局部位线与所述电接地解耦。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一器件被配置为接收第一输入信号，其中，所述第二器件被配置为接收第二输入信号，且其中，所述器件还包含命令和控制电路，所述命令和控制电路被配置为生成所述第一输入信号和所述第二输入信号。

3.根据权利要求1所述的器件，其中，高电压操作是编程操作或擦除操作，并且其中，低电压操作是读操作。

4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一器件是第一晶体管，其中，所述第二器件是第二晶体管，且其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管是厚栅氧晶体管。

5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一器件是第一晶体管，其中，所述第二器件是第二晶体管，且其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管是漏极延伸晶体管。

6.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一传输器件包括被配置为接收第三输入信号和第四输入信号的第三器件和第四器件。

7.根据权利要求6所述的器件，其中，所述第三器件是p型晶体管，并且其中所述第四器件是n型晶体管。

8.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一传输器件、所述第一器件及所述第二器件被包括在与所述存储器阵列相关联的列多路复用器中。

9.根据权利要求1所述的器件，还包括耦合在所述全局位线与所述第一传输器件之间的第二传输器件。

10.一种用于并行读和写操作的方法，包括：

接收和与存储器阵列的第一存储器单位相关联的至少第一存储器操作相关联的多个地址；

基于所述多个地址来标识所述第一存储器单位和与所述第一存储器操作相关联的操作类型，其中，所述第一存储器单位与第一存储器单元相关联；和

基于所标识的操作类型来配置所述第一存储器单位的多个器件。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述多个地址包括第一存储器单位地址和第一行地址，并且其中，所述多个器件被包括在与所述第一存储器单位相关联的开关逻辑中。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，接收所述多个地址还包括：

接收与待利用第二存储器单元实施的第二存储器操作相关联的第二存储器单位地址、第二行地址、和列地址。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括：

标识与所述第二存储器单元相关联的第二存储器单位以及与所述第二存储器操作相关联的操作类型；

标识未被选择的多个存储器单位；

基于所标识的操作类型来配置所述第二存储器单位的开关逻辑；和

配置未被选择的所述多个存储器单位的开关逻辑。