[发明专利]处理装置和准直器

说明书

根据实施方式的一种处理装置包括容器、工件放置单元、准直器、和磁场产生单元。工件放置单元设置在容器内部，所述工件放置单元上能够放置供粒子堆叠的工件。所述准直器被设置在所述容器内部，并包括第一表面、与所述第一表面相反侧的第二表面、以及穿透所述第一表面和所述第二表面的通孔。所述磁场产生单元被设置在所述容器内部，并且在所述通孔内部，在所述第一表面和所述第二表面之间产生磁场。

技术领域

实施方式涉及处理装置和准直器。

背景技术

在现有技术中，已知设置有准直器的溅射装置等处理装置。

现有技术文献

专利文献：

专利文献1：日本特开2005-72028号公报

发明内容

本发明要解决的问题

例如，如果能够实现不便更少的新颖结构的处理装置和准直器，例如，工件的由位置引起的膜厚度的不均匀性减少，则这种处理装置和准直器将是有利的。

用于解决问题的手段

根据实施方式的一种处理装置包括容器、工件放置单元、准直器、和磁场产生单元。所述工件放置单元设置在容器内部，所述工件放置单元上能够放置供粒子堆叠的工件。所述准直器被设置在所述容器内部，并包括第一表面、与所述第一表面相反侧的第二表面、以及穿透所述第一表面和所述第二表面的通孔。所述磁场产生单元被设置在所述容器内部，并且在所述通孔内部，在所述第一表面和所述第二表面之间产生磁场。

附图说明

图1是根据实施方式的处理装置的示意性和示例性横截面视图。

图2是根据第一实施方式的准直器的包括通孔的一部分的示意性和示例性横截面视图。

图3是包括根据第一实施方式的准直器的俯视图及其一部分的放大视图的示意性和示例性说明视图。

图4是根据第二实施方式的准直器的示意性和示例性横截面视图。

图5是根据第二实施方式的准直器的示意性和示例性分解横截面视图。

图6是变形例的准直器的示意性和示例性横截面视图。

具体实施方式

在下文中，将公开处理装置和准直器的示例性实施方式。应当注意的是，下面所描述的实施方式的结构和控制(技术特征)以及由该结构和控制带来的功能和结果(效果)是示例。在附图中，为了便于描述，定义了V方向(第一方向)和H方向(第二方向)。V方向是垂直方向，H方向是水平方向。V方向和H方向彼此正交。

另外，下文中的多个实施方式包括类似的组成元件。在下文中，应当注意的是，这种类似的组成元件中的每一个都将由通用的附图标记进行表示，并且有时省略与其相同的描述的重复。

第一实施方式

图1是溅射装置1的横截面视图。在溅射装置1中，例如，在晶圆W的表面上形成(堆叠)由金属粒子P构成的膜。溅射装置1是处理装置的示例并且可以被称为成膜设备或堆叠设备。晶圆W是工件的示例并且可以被称为对象(object)。

溅射装置1具有腔室11。腔室11形成为以沿着V方向的中心轴为中心的大致圆筒状，并且其具有顶壁11a、底壁11b和周边壁11c(侧壁)。顶壁11a和底壁11b垂直于V方向并沿着H方向延伸。周边壁11c的母线沿着V方向延伸。由该腔室11形成处理腔室R，作为大致圆筒状的空间。例如，溅射装置1以使得腔室11的中心轴(V方向)与铅垂方向一致的方式设置。腔室11是容器的示例。