[发明专利]膜有效
申请号: | 201680050127.1 | 申请日: | 2016-09-07 |
公开(公告)号: | CN107921769B | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 八木则子;草之瀬康弘;市野洋之;藤原正裕 | 申请(专利权)人: | 旭化成株式会社 |
主分类号: | B32B27/32 | 分类号: | B32B27/32;C08F293/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 庞东成;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚合物嵌段 氢化嵌段共聚物 共轭二烯化合物 乙烯基键合量 聚丙烯树脂 氢化 乙烯基芳香族化合物 外层包含聚丙烯 氢化率 柔软性 中间层 树脂 内层 平衡 | ||
1.一种膜,其为至少具有外层、中间层、内层的膜,其中,
所述外层包含聚丙烯树脂,
所述中间层包含聚丙烯树脂和氢化嵌段共聚物a,
所述内层包含聚丙烯树脂,
所述氢化嵌段共聚物a在分子中包含:
以共轭二烯化合物为主体的聚合物嵌段C、
以共轭二烯化合物为主体的聚合物嵌段B、和
以乙烯基芳香族化合物为主体的聚合物嵌段S,
所述氢化嵌段共聚物a中,所述以共轭二烯化合物为主体的聚合物嵌段C的含量为1质量%~30质量%,所述以共轭二烯化合物为主体的聚合物嵌段B的含量为69质量%~98质量%,所述以乙烯基芳香族化合物为主体的聚合物嵌段S的含量为1质量%~20质量%,
所述以共轭二烯化合物为主体的聚合物嵌段C的氢化前的乙烯基键合量为1~25mol%,所述以共轭二烯化合物为主体的聚合物嵌段B的氢化前的乙烯基键合量为60mol%~100mol%,所述氢化嵌段共聚物a的氢化率为80mol%以上。
2.如权利要求1所述的膜,其中,所述氢化嵌段共聚物a中,所述以共轭二烯化合物为主体的聚合物嵌段C的含量为3质量%~13质量%,所述以共轭二烯化合物为主体的聚合物嵌段B的含量为74质量%~96质量%,所述以乙烯基芳香族化合物为主体的聚合物嵌段S的含量为3质量%~13质量%,
所述以共轭二烯化合物为主体的聚合物嵌段C与所述以乙烯基芳香族化合物为主体的聚合物嵌段S的含量的合计为6质量%~26质量%,
所述氢化嵌段共聚物a的氢化率为90mol%以上。
3.一种膜,其为至少具有外层、中间层、内层的膜,其中,
所述外层包含聚丙烯树脂,
所述中间层包含聚丙烯树脂和氢化嵌段共聚物a,
所述内层包含聚丙烯树脂,
所述氢化嵌段共聚物a如下获得:将有机碱金属化合物作为聚合引发剂,在有机溶剂中进行共轭二烯化合物单体、乙烯基芳香族化合物单体的聚合,之后进行氢化反应,由此制造出氢化嵌段共聚物a,
所述氢化嵌段共聚物a中的乙烯基芳香族化合物单体单元的含量为3质量%~13质量%,
所述氢化嵌段共聚物a的氢化率为90mol%,
所述氢化嵌段共聚物a中的丁烯量和/或丙烯量相对于共轭二烯化合物单元的合计100mol%为60mol%~85mol%,
所述氢化嵌段共聚物a在0~60℃具有结晶化的峰,
所述氢化嵌段共聚物a的结晶化热量为1.0J/g~8.0J/g,
所述氢化嵌段共聚物a的邵氏A硬度为25~55。
4.如权利要求1~3中任一项所述的膜,其中,所述外层的厚度为5~50μm,所述中间层的厚度为100μm~200μm,所述内层的厚度为5μm~50μm。
5.如权利要求1~3中任一项所述的膜,其中,所述外层包含所述氢化嵌段共聚物a和/或氢化嵌段共聚物b1,其中,该嵌段共聚物b1不包含所述以共轭二烯化合物为主体的聚合物嵌段C,
所述氢化嵌段共聚物b1包含以共轭二烯化合物为主体的聚合物嵌段B1和以乙烯基芳香族化合物为主体的聚合物嵌段S1,
所述氢化嵌段共聚物b1中,所述以共轭二烯化合物为主体的聚合物嵌段B1的含量为75质量%~92质量%,所述以乙烯基芳香族化合物为主体的聚合物嵌段S1的含量为8质量%~25质量%,
所述以共轭二烯化合物为主体的聚合物嵌段B1的氢化前的乙烯基键合量为40mol%~100mol%,所述氢化嵌段共聚物b1的氢化率为80mol%以上,
所述外层中的聚丙烯树脂的含量为60质量%~100质量%,
所述外层中的所述氢化嵌段共聚物a和/或氢化嵌段共聚物b1的含量为0~40质量%。
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