[发明专利]光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及其制造方法

权利要求书

1.光刻用下层膜形成材料用于形成光刻用下层膜的用途，所述光刻用下层膜形成材料含有下述式(1)所示的化合物，

式(1)中，R¹为包含碘原子的碳数1～60的2n价基团或单键，R²各自独立地为卤素原子、碳数1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～10的芳基、碳数2～10的烯基、碳数1～30的烷氧基、硫醇基、羟基或羟基的氢原子被酸解离性基团取代而成的基团，在同一萘环或苯环中可以相同也可以不同，此处，至少1个R²为羟基的氢原子被酸解离性基团取代而成的基团，n为1～4的整数，n为2以上的整数时，n个[]内的结构单元的结构式可以相同也可以不同，X表示氧原子、硫原子或未桥接，m²各自独立地为0～7的整数，其中，至少1个m²为1～7的整数，q各自独立地为0或1。

2.根据权利要求1所述的用途，其中，所述式(1)所示的化合物为下述式(1-1)所示的化合物，

式(1-1)中，R¹、n以及q与前述定义相同，R³各自独立地为卤素原子、碳数1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～10的芳基、或碳数2～10的烯基、碳数1～30的烷氧基、硫醇基，在同一萘环或苯环中可以相同也可以不同，R⁴各自独立地为氢原子或酸解离性基团，此处，至少1个R⁴为酸解离性基团，m⁵各自独立地为1～6的整数，m⁶各自独立地为0～5的整数，m⁵+m⁶为1～6的整数。

3.根据权利要求2所述的用途，其中，所述式(1-1)所示的化合物为下述式(1-2)所示的化合物，

式(1-2)中，R¹、R³、R⁴、m⁶、n以及q与前述含义相同，其中，至少1个R⁴为酸解离性基团。

4.根据权利要求3所述的用途，其中，所述式(1)所示的化合物为下述式(1-3)所示的化合物，

式(1-3)中，R⁴和q与前述含义相同，X′为氢原子、卤素原子或碳数1～59的1价基团，R⁰各自独立地为碳数1～4的烷基或卤素原子，在同一萘环或苯环中可以相同也可以不同，p²各自独立地为0～5的整数，其中，至少1个R⁴为酸解离性基团。

5.根据权利要求4所述的用途，其中，所述式(1-3)中的q为1。

6.根据权利要求5所述的用途，其中，所述化合物如下述式(1-5)或下述式(1-6)所示，

式(1-5)和式(1-6)中，R⁴与前述含义相同，R⁶为选自由卤素原子、碳数1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～10的芳基、碳数2～10的烯基、碳数1～30的烷氧基、硫醇基以及羟基组成的组中的1种以上，k为1～5的整数，k’为1～3的整数，其中，至少1个R⁴为酸解离性基团。

7.根据权利要求1或2所述的用途，其中，所述化合物具有包含碘原子的基团。

8.根据权利要求6所述的用途，其中，所述式(1-5)或所述式(1-6)所示的化合物为选自由下述化合物组成的组中的1种以上，