[发明专利]用于模拟辐射与结构的相互作用的方法和设备、量测方法和设备、器件制造方法有效
申请号: | 201680050508.X | 申请日: | 2016-06-30 |
公开(公告)号: | CN107924142B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | R·德克斯;M·G·M·M·范卡拉埃吉;M·皮萨连科 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张启程 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 模拟 辐射 结构 相互作用 方法 设备 器件 制造 | ||
1.一种确定结构的参数的方法,所述结构包括多个子结构,所述方法包括以下步骤:
(a)限定结构模型以在二维或三维模型空间中表示所述结构;
(b)使用所述结构模型来模拟辐射与所述结构的相互作用;和
(c)重复步骤(b)且同时变化所述结构模型的参数,
其中为执行步骤(b),沿着所述模型空间的至少第一维度将所述结构模型划分成一系列片段,
其中,通过划分成片段,由沿着所述模型空间的至少第二维度的一系列台阶来近似至少一个子结构的倾斜面,
且其中在步骤(b)的重复之间使近似所述倾斜面的台阶的数目维持恒定而片段的数目变化。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述结构模型限定:
(i)第一子结构,所述第一子结构在所述第一维度上的范围取决于第一参数,所述第一子结构具有由所述第二维度上的第一系列台阶近似的第一倾斜面,所述第一系列台阶中的台阶的数目在步骤(b)的所述重复之间是恒定的;和
(ii)第二子结构,所述第二子结构在所述第一维度上的范围取决于第二参数,所述第二子结构具有由所述第二维度上的第二系列台阶近似的第二倾斜面,所述第二系列台阶中的台阶的数目在步骤(b)的所述重复之间是恒定的。
3.根据权利要求2所述的方法,其中为了将所述结构模型划分成跨越所述第一子结构和所述第二子结构的连续的片段,在所述第二子结构中引入切割部以与所述第一子结构中的台阶匹配,而不在近似的第二面中引入台阶。
4.根据权利要求3所述的方法,其中为了将所述结构模型划分成跨越所述第一子结构和所述第二子结构的连续的片段,在所述第一子结构中引入切割部以与所述第二子结构中的台阶匹配,而不在近似的第一面中引入台阶。
5.根据权利要求1-4中任一项权利要求所述的方法,其中所述结构模型限定:
(i)下部子结构,所述下部子结构具有由下部一系列台阶近似的倾斜面,所述下部一系列台阶中的台阶的数目在步骤(b)的所述重复之间是恒定的;和
(ii)上部子结构,所述上部子结构具有由上部一系列台阶近似的倾斜面,所述上部一系列台阶中的台阶的数目在步骤(b)的所述重复之间是恒定的。
6.根据权利要求1-4中任一项权利要求所述的方法,其中在每个系列台阶内,每个台阶在所述第一维度上的范围随着步骤(c)中的所述参数的变化而平滑地变化。
7.根据权利要求1-4中任一项权利要求所述的方法,其中至少一系列台阶包括在所述第一维度上具有相等范围的两个或更多个台阶,所述台阶的所述范围在所述方法的执行期间保持相等。
8.根据权利要求1-4中任一项权利要求所述的方法,其中至少一系列台阶包括在所述第一维度上具有不同范围的两个或更多个台阶,所述台阶的所述范围在所述方法的执行期间保持呈恒定比率。
9.根据权利要求1-4中任一项权利要求所述的方法,其中步骤(c)包括:
(cl)比较在步骤(b)中所模拟的所述相互作用与在具有所述结构的量测设备中所观测的真实相互作用;
(c2)基于所述比较的结果来变化所述结构模型的一个或更多个参数;和
(c3)使用变化的参数来重复步骤(b),
且其中所述方法还包括:
(d)在步骤(c)的多次迭代之后,将所述结构模型的参数报告为所述结构的参数的测量结果。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述量测设备是角分辨光谱仪,且其中步骤(cl)包括产生所述结构的模拟的散射光谱。
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