[发明专利]制备含多孔α碳化硅的本体的方法和由该方法制备的本体

权利要求书

1.一种制备多孔碳化硅产品的方法，所述方法包括：

-制备包括硅、碳、至少一种硅化物形成和碳化物形成试剂、以及至少一种合金形成试剂的混合物；其中所述至少一种硅化物形成和碳化物形成试剂包括：第13族元素；或第12族元素；或第2族元素；并且其中所述至少一种合金形成试剂包括Cu；

-通过加工所述混合物而制备整体结构；

-对所述整体结构施加加热，其中所述施加加热包括在700℃和1000℃之间的温度下，在受控气氛中，在1小时和24小时之间的时段对所制备的所述整体结构进行热解；

以及其中所述至少一种合金形成试剂在进行所述热解之后的浓度在0.1at.％和0.9at.％之间。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种合金形成试剂在进行所述热解之后的浓度是0.5at.％。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第13族元素是Al。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第12族元素是Zn。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第2族元素是Mg。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种合金形成试剂是帮助碳化硅氧化的合金形成试剂。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述施加加热还包括：

-对所制备的所述整体结构施加其中温度在室温和2100℃之间变化的至少三种温度处理，所述室温在20至26℃的范围内且所述室温的平均值是23℃，其中所述至少三种温度处理包括：

-第一温度处理：在惰性气氛或真空中，在850℃和1500℃之间，在1小时和24小时之间的时段；

-第二温度处理：在受控气氛中，在1500℃、高达2100℃和回到室温之间，在1小时和24小时之间的时段；

-第三温度处理：在氧化气氛中，在室温、高达1150℃和回到室温之间。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

-将经热处理的所述多孔碳化硅产品暴露到酸性环境。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

-将催化剂沉积到经温度处理的所述整体结构上。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述加工是通过挤出或通过对所述混合物施加压力而进行的。