[发明专利]热电转换元件及热电转换模块

权利要求书

1.一种热电转换元件，该热电转换元件至少包括：电荷传输层、热电转换材料层和电极，

其中，所述电荷传输层包括被处理为掺杂有电荷供给材料从而具有n型半导体特性的石墨表面，或被处理为掺杂有电荷接受材料从而具有p型半导体特性的石墨表面，

通过在所述石墨表面掺杂电荷供给材料或者电荷接受材料，降低所述石墨掺杂表面的面内方向的热导率，

电荷载流子在所述掺杂表面的面内方向上传输，

该热电转换元件为片式结构，其中n型和p型的热电转换材料层分别形成于n型和p型电荷传输层两端的表面上，并且所述电极相应地形成于热电转换材料层的上部。

2.根据权利要求1所述的热电转换元件，其中，所述电荷供给材料包括由以下组成的组中的至少一者：四硫富瓦烯(TTF)、四甲基四硫富瓦烯(TMTTF)、双亚乙基二硫醇四硫代富瓦烯(BEDT-TTF)、四硒富瓦烯(TSF)、三苯基膦(TPP)、三甲氧基苯基膦(MeO-TPP)、三氟化三苯基膦(F-TPP)、二苯基膦(DPP)、双二苯基膦乙烷(DPPE)、双二苯基膦丙烷(DPPP)、胺、聚胺、聚乙烯亚胺、碳酸钠、碳酸锂、碳酸钾、酞菁铜、酞菁锌，以及它们的衍生物。

3.根据权利要求1所述的热电转换元件，其中，所述电荷接受材料包括由以下组成的组中的至少一者：四氰基对苯二醌二甲烷(TCNQ)、四氟四氰基对苯二醌二甲烷(TCNQF4)、二环戊基二甲氧基硅烷-二氰基苯醌(DDQ)、三硝基芴酮(TNF)、二硝基芴酮(DNF)、咔唑、4-羟基咔唑、2-羟基咔唑、苯硼酸、吡啶、喹啉、咪唑、三苯胺，以及它们的衍生物。

4.根据权利要求1所述的热电转换元件，其中，所述热电转换材料层包括碳纳米管、Bi-Te基化合物、氧化物和它们的组合组成的组中的一者。

5.根据权利要求1所述的热电转换元件，其中，所述热电转换元件还包括绝缘基板，

其中，所述绝缘基板是在第一基板的两侧分别结合第二基板而形成的复合基板，

所述第二基板由具有比所述第一基板高的热导率的绝缘材料制成。

6.根据权利要求1所述的热电转换元件，其中，在未形成所述热电转换材料层的所述电荷传输层中间部分的掺杂层的露出部分形成有钝化膜。

7.一种热电转换模块，该热电转换模块通过使多个权利要求1所述的热电转换元件连接而构成。