[发明专利]超导装置和制造超导装置的方法有效
| 申请号： | 201680051203.0 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN108139451B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 维克托·梯克欧维科·佩特拉受维;克里斯多夫·切克雷 | 申请（专利权）人： | 皇家霍洛威和贝德福德新学院 |
| 主分类号： | G01R33/035 | 分类号： | G01R33/035 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 江海;姚开丽 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超导 装置 制造 方法 | ||
1.一种量子干涉装置，包括：被正常导体段中断的超导环路；以及连接到所述正常导体段的干涉仪，其中，所述超导环路包括多个匝，其中，所述多个匝包括多个嵌套环路。
2.根据权利要求1所述的量子干涉装置，其中，所述多个匝包括多个相邻的瓣。
3.根据权利要求2所述的量子干涉装置，还包括位于所述超导环路的瓣内的线圈。
4.根据权利要求3所述的量子干涉装置，具有两个瓣以及位于所述超导环路的每个瓣内的线圈。
5.根据权利要求3所述的量子干涉装置，具有四个瓣以及位于所述超导环路的每个瓣内的线圈。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的量子干涉装置，还包括在所述超导环路和所述正常导体段之间的接合点处的桥接层。
7.根据权利要求6所述的量子干涉装置，其中，所述桥接层由从由金、银、铜及其合金组成的组中选择的金属形成。
8.根据权利要求1-5中任一项所述的量子干涉装置，其中，所述超导环路由从由铌、铅、铝及其合金组成的组中选择的金属形成。
9.根据权利要求1-5中任一项所述的量子干涉装置，其中，所述正常导体段由从由钛、铝及其合金组成的组中选择的金属形成。
10.根据权利要求9所述的量子干涉装置，其中，所述正常导体段由在制造时厚度大于钛的钝化深度的钛层形成。
11.根据权利要求10所述的量子干涉装置，其中，所述厚度大于20nm加上钛的所述钝化深度。
12.根据权利要求10所述的量子干涉装置，其中，所述厚度为40nm。
13.一种磁力计装置，包括：根据权利要求4所述的量子干涉装置；拾波线圈，所述拾波线圈连接到位于所述超导环路的一个瓣中的线圈；以及反馈电流源，所述反馈电流源连接到位于所述超导环路的另一瓣中的线圈。
14.根据权利要求13所述的磁力计装置，还包括在所述超导环路和所述正常导体段之间的接合点处的桥接层。
15.根据权利要求14所述的磁力计装置，其中，所述桥接层由从由金、银、铜及其合金组成的组中选择的金属形成。
16.根据权利要求13所述的磁力计装置，其中，所述超导环路由从由铌、铅、铝及其合金组成的组中选择的金属形成。
17.根据权利要求13所述的磁力计装置，其中，所述正常导体段由从由钛、铝及其合金组成的组中选择的金属形成。
18.根据权利要求17所述的磁力计装置，其中，所述正常导体段由在制造时厚度大于钛的钝化深度的钛层形成。
19.根据权利要求18所述的磁力计装置，其中，所述厚度大于20nm加上钛的所述钝化深度。
20.根据权利要求18所述的磁力计装置，其中，所述厚度为40nm。
21.一种梯度仪装置，包括：根据权利要求5所述的量子干涉装置；拾波线圈，所述拾波线圈连接到位于所述超导环路的两个瓣中的线圈；以及反馈电流源，所述反馈电流源连接到位于所述超导环路的另外两个瓣中的线圈。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家霍洛威和贝德福德新学院，未经皇家霍洛威和贝德福德新学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680051203.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
