[发明专利]接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种接合用铜糊料，其为含有金属粒子和分散介质的接合用铜糊料，其中，所述金属粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比为4以上的薄片状微米铜粒子，且所述金属粒子所含的最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比小于2的微米铜粒子的含量以所述薄片状微米铜粒子总量为基准计为50质量％以下，

所述亚微米铜粒子的含量以所述亚微米铜粒子的质量及所述薄片状微米铜粒子的质量之和为基准计为40质量％以上且80质量％以下，

所述亚微米铜粒子的含量及所述薄片状微米铜粒子的含量之和以所述金属粒子的总质量为基准计为80质量％以上。

2.根据权利要求1所述的接合用铜糊料，其为无加压接合用。

3.根据权利要求1或2所述的接合用铜糊料，其中，所述薄片状微米铜粒子的含量以所述金属粒子的总质量为基准计为20质量％以上且50质量％以下。

4.根据权利要求1或2所述的接合用铜糊料，其中，所述金属粒子含有选自镍、银、金、钯、铂中的至少1种金属粒子。

5.一种接合体的制造方法，其具备以下工序：

准备层叠有第一构件、以及在该第一构件的自重作用方向一侧上依次为权利要求1～4中任一项所述的接合用铜糊料及第二构件的层叠体，在受到所述第一构件的自重、或者在受到所述第一构件的自重及0.01MPa以下的压力的状态下对所述接合用铜糊料进行烧结。

6.一种半导体装置的制造方法，其具备以下工序：

准备层叠有第一构件、以及在该第一构件的自重作用方向一侧上依次为权利要求1～4中任一项所述的接合用铜糊料及第二构件的层叠体，在受到所述第一构件的自重、或者在受到所述第一构件的自重及0.01MPa以下的压力的状态下对所述接合用铜糊料进行烧结，

所述第一构件及所述第二构件中的至少一个为半导体元件。

7.一种接合体，其具备第一构件、第二构件、以及将所述第一构件与所述第二构件接合的权利要求1～4中任一项所述的接合用铜糊料的烧结体。

8.根据权利要求7所述的接合体，其中，所述第一构件及第二构件中的至少一个在与所述烧结体相接触的面中含有选自铜、镍、银、金及钯中的至少1种金属。

9.一种半导体装置，其具备第一构件、第二构件、以及将所述第一构件与所述第二构件接合的权利要求1～4中任一项所述的接合用铜糊料的烧结体，

所述第一构件及所述第二构件中的至少一个为半导体元件。