[发明专利]集成电路以及用于补偿集成电路中的电路老化的方法

权利要求书

1.一种用于补偿集成电路中的电路老化的方法，所述方法包括：

为布置在所述集成电路上的老化传感器设置操作环境；

测量所述操作环境处的所述老化传感器以确定所测得的老化；

使用所测得的老化和初始老化测量值来更新性能传感器的目标值；以及

使用经更新的目标值来执行自适应电压缩放,其中所述自适应电压缩放包括测量所述性能传感器以及调整第一供电电压以使所测得的性能朝向经更新的目标值移动。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述操作环境被选择成降低非老化效应对所测得的老化的影响。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，设置所述操作环境包括将用于所述老化传感器的第二供电电压设置为第一电压电平。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一电压电平是温度反相电压，电路速度在所述温度反相电压处不依赖于温度。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括从布置在所述集成电路上的非易失性存储器读取所述初始老化测量值。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所测得的老化包括指示反映电路老化的电路速度的已老化测量和指示不反映电路老化的电路速度的未老化测量。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述初始老化测量值是初始已老化测量和初始未老化测量之间的差异，并且

其中所述初始已老化测量和所述初始未老化测量是在所述操作环境处在所述集成电路的制造期间获得的所述老化传感器的测量。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，更新所述目标值包括将初始目标值与一加上老化百分比相乘，所述老化百分比是使用所述已老化测量、所述未老化测量和所述初始老化测量值计算出的。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述初始老化测量值是初始已老化测量与初始未老化测量之间的差异，并且其中所述老化百分比被计算为所述未老化测量减去所述已老化测量减去所述初始老化测量值与所述未老化测量的比率。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述老化传感器被布置在所述集成电路上被预计与所述集成电路上的其他位置相比在更高温度下操作的位置处。

11.一种集成电路，包括：

被配置成提供所测得的老化的老化传感器；以及

核心功率降低控制器，其被配置成：

设置所述老化传感器的操作环境，

从所述老化传感器接收所述操作环境处的所测得的老化，

使用所测得的老化和初始老化测量值来更新性能传感器的目标值，以及

使用经更新的目标值来执行自适应电压缩放,其中所述自适应电压缩放包括测量所述性能传感器以及调整第一供电电压以使所测得的性能朝向经更新的目标值移动。

12.根据权利要求11所述的集成电路，其特征在于，所述操作环境被选择成降低非老化效应对所测得的老化的影响。

13.根据权利要求11所述的集成电路，其特征在于，所述核心功率降低控制器被进一步配置成通过将用于所述老化传感器的第二供电电压设置为第一电压电平来设置所述操作环境。

14.根据权利要求13所述的集成电路，其特征在于，所述第一电压电平是温度反相电压，电路速度在所述温度反相电压处不依赖于温度。

15.根据权利要求11所述的集成电路，其特征在于，进一步包括非易失性存储器，并且其中所述核心功率降低控制器被进一步配置成从所述非易失性存储器读取所述初始老化测量值。