[发明专利]用于减少基板附近的电场影响的单件式处理配件屏蔽件有效
申请号: | 201680052197.0 | 申请日: | 2016-09-09 |
公开(公告)号: | CN108028184B | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 威廉·约翰森;希兰库玛·萨万戴亚 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/203 | 分类号: | H01L21/203;H01L21/02;H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 减少 附近 电场 影响 单件式 处理 配件 屏蔽 | ||
1.一种单件式处理配件屏蔽件,所述单件式处理配件屏蔽件经配置在处理腔室中使用而用于处理具有给定直径的基板,所述单件式处理配件屏蔽件包括:
圆柱体,所述圆柱体具有上部和下部;
环形传热沟道,所述环形传热沟道设置在所述上部内;和
盖环部,所述盖环部从所述下部径向向内延伸且具有从所述盖环部的底表面延伸的环形腿部和径向向内延伸的唇部,所述径向向内延伸的唇部具有比所述给定直径多1英寸至2英寸的内径,其中所述环形腿部经配置而与沉积环界面连接以在所述底表面和所述沉积环之间形成迂曲路径。
2.如权利要求1所述的单件式处理配件屏蔽件,其中所述上部包括:
适配器部分,所述适配器部分径向向外延伸且具有静置面和密封面,所述静置面将所述单件式处理配件屏蔽件支撑于腔室的壁上,当所述单件式处理配件屏蔽件放置于所述腔室中时,腔室盖件静置于所述密封面上以密封所述腔室的内部容积,
其中所述环形传热沟道设置在所述适配器部分中。
3.如权利要求1所述的单件式处理配件屏蔽件,其中所述圆柱体垂直延伸,并且所述盖环部实质垂直于所述圆柱体的所述下部。
4.如权利要求1至3中任一项所述的单件式处理配件屏蔽件,其中所述单件式处理配件屏蔽件由铝或不锈钢形成。
5.一种处理配件,所述处理配件经配置在处理腔室中使用而用于处理具有给定直径的基板,所述处理配件包括:
单件式处理配件屏蔽件,包括:
圆柱体,所述圆柱体具有上部和下部;
适配器部分,所述适配器部分从所述上部径向向外延伸且具有静置面和密封面,所述静置面将所述单件式处理配件屏蔽件支撑于腔室的壁上,当所述单件式处理配件屏蔽件放置于所述腔室中时,腔室盖件静置于所述密封面上以密封所述腔室的内部容积,
环形传热沟道,所述环形传热沟道设置在所述适配器部分内;和
盖环部,所述盖环部从所述下部径向向内延伸并且具有径向向内延伸的唇部,所述径向向内延伸的唇部具有比所述给定直径多1英寸至2英寸的内径;和
沉积环,所述沉积环设置在所述盖环部下方,
其中,当所述单件式处理配件屏蔽件设置在基板周围时,所述盖环部经配置而与所述基板以预定距离分隔开,其中,所述盖环部的底表面经配置而与所述沉积环的上表面界面连接,并且其中在所述底表面和所述上表面之间形成迂曲路径。
6.如权利要求5所述的处理配件,其中所述盖环部的所述底表面包括环形腿部,所述环形腿部经配置而延伸进入所述沉积环中的相应的环形沟槽。
7.如权利要求5所述的处理配件,其中所述圆柱体垂直延伸,并且所述盖环部实质垂直于所述圆柱体的所述下部。
8.如权利要求5至7中任一项所述的处理配件,其中所述单件式处理配件屏蔽件由铝或不锈钢形成。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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