[发明专利]用于减少基板附近的电场影响的单件式处理配件屏蔽件有效

专利信息
申请号: 201680052197.0 申请日: 2016-09-09
公开(公告)号: CN108028184B 公开(公告)日: 2022-11-04
发明(设计)人: 威廉·约翰森;希兰库玛·萨万戴亚 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01L21/203 分类号: H01L21/203;H01L21/02;H01L21/67;H01L21/687
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;赵静
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 减少 附近 电场 影响 单件式 处理 配件 屏蔽
【权利要求书】:

1.一种单件式处理配件屏蔽件,所述单件式处理配件屏蔽件经配置在处理腔室中使用而用于处理具有给定直径的基板,所述单件式处理配件屏蔽件包括:

圆柱体,所述圆柱体具有上部和下部;

环形传热沟道,所述环形传热沟道设置在所述上部内;和

盖环部,所述盖环部从所述下部径向向内延伸且具有从所述盖环部的底表面延伸的环形腿部和径向向内延伸的唇部,所述径向向内延伸的唇部具有比所述给定直径多1英寸至2英寸的内径,其中所述环形腿部经配置而与沉积环界面连接以在所述底表面和所述沉积环之间形成迂曲路径。

2.如权利要求1所述的单件式处理配件屏蔽件,其中所述上部包括:

适配器部分,所述适配器部分径向向外延伸且具有静置面和密封面,所述静置面将所述单件式处理配件屏蔽件支撑于腔室的壁上,当所述单件式处理配件屏蔽件放置于所述腔室中时,腔室盖件静置于所述密封面上以密封所述腔室的内部容积,

其中所述环形传热沟道设置在所述适配器部分中。

3.如权利要求1所述的单件式处理配件屏蔽件,其中所述圆柱体垂直延伸,并且所述盖环部实质垂直于所述圆柱体的所述下部。

4.如权利要求1至3中任一项所述的单件式处理配件屏蔽件,其中所述单件式处理配件屏蔽件由铝或不锈钢形成。

5.一种处理配件,所述处理配件经配置在处理腔室中使用而用于处理具有给定直径的基板,所述处理配件包括:

单件式处理配件屏蔽件,包括:

圆柱体,所述圆柱体具有上部和下部;

适配器部分,所述适配器部分从所述上部径向向外延伸且具有静置面和密封面,所述静置面将所述单件式处理配件屏蔽件支撑于腔室的壁上,当所述单件式处理配件屏蔽件放置于所述腔室中时,腔室盖件静置于所述密封面上以密封所述腔室的内部容积,

环形传热沟道,所述环形传热沟道设置在所述适配器部分内;和

盖环部,所述盖环部从所述下部径向向内延伸并且具有径向向内延伸的唇部,所述径向向内延伸的唇部具有比所述给定直径多1英寸至2英寸的内径;和

沉积环,所述沉积环设置在所述盖环部下方,

其中,当所述单件式处理配件屏蔽件设置在基板周围时,所述盖环部经配置而与所述基板以预定距离分隔开,其中,所述盖环部的底表面经配置而与所述沉积环的上表面界面连接,并且其中在所述底表面和所述上表面之间形成迂曲路径。

6.如权利要求5所述的处理配件,其中所述盖环部的所述底表面包括环形腿部,所述环形腿部经配置而延伸进入所述沉积环中的相应的环形沟槽。

7.如权利要求5所述的处理配件,其中所述圆柱体垂直延伸,并且所述盖环部实质垂直于所述圆柱体的所述下部。

8.如权利要求5至7中任一项所述的处理配件,其中所述单件式处理配件屏蔽件由铝或不锈钢形成。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680052197.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top