[发明专利]半导体装置及控制装置在审

专利信息
申请号: 201680052381.5 申请日: 2016-09-15
公开(公告)号: CN108028645A 公开(公告)日: 2018-05-11
发明(设计)人: 冢本克马 申请(专利权)人: 株式会社自动网络技术研究所;住友电装株式会社;住友电气工业株式会社
主分类号: H03K17/08 分类号: H03K17/08;H03K17/00;H03K17/687
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 高培培;车文
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 控制
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,包括:

场效应晶体管,具有寄生二极管;

温度检测器,对所述寄生二极管的温度进行检测;以及

控制部,判定由该温度检测器检测到的温度是否为第一温度以上,在判定为是第一温度以上的情况下,使所述场效应晶体管接通。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

在所述场效应晶体管断开的情况下,所述控制部判定由所述温度检测器检测到的温度是否为第一温度以上,在判定为是第一温度以上的情况下,使所述场效应晶体管接通。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,

所述控制部在使所述场效应晶体管接通之后,判定由所述温度检测器检测到的温度是否为比所述第一温度低的第二温度以下,在判定为是第二温度以下的情况下,使所述场效应晶体管断开。

4.一种控制装置,其特征在于,包括:

取得部,取得由对场效应晶体管所具有的寄生二极管的温度进行检测的温度检测器检测到的温度;

判定部,判定由该取得部取得的温度是否为第一温度以上;以及

控制部,在该判定部判定为是第一温度以上的情况下,使所述场效应晶体管接通。

5.根据权利要求4所述的控制装置,其特征在于,

在所述场效应晶体管断开的情况下,所述判定部判定由所述取得部取得的温度是否为第一温度以上,在所述判定部判定为是第一温度以上的情况下,所述控制部使所述场效应晶体管接通。

6.根据权利要求4或5所述的控制装置,其特征在于,

在所述控制部使所述场效应晶体管接通之后,所述判定部判定由所述取得部取得的温度是否为比所述第一温度低的第二温度以下,在所述判定部判定为是第二温度以下的情况下,所述控制部使所述场效应晶体管断开。

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