[发明专利]红外LED

权利要求书

1.一种红外LED，其具有单片的和堆叠状的结构(10)，所述红外LED具有：

包括GaAs的n掺杂的基础衬底(14)、下包覆层(16)、用于产生红外辐射的有源层(18)、上包覆层(20)、电流分配层(24)以及上接通层(26)，其中，这些层以所提及的顺序布置，

其特征在于，

其中，所述上接通层外延地生长，并且在所述上包覆层(20)与所述电流分配层(24)之间布置有第一隧道二极管(22)，其中，所述电流分配层(24)主要具有n掺杂的含Ga的层，所述n掺杂的含Ga的层具有大于1％的Ga含量，并且所述电流分配层(24)具有层电阻R_S＜75Ω，并且所述电流分配层(24)由GaAs或AlGaAs或InGaP构成，

所述第一隧道二极管(22)具有30nm至150nm之间的厚度并且包括含As的p层以及含P的n层，其中，含As的层以碳掺杂，掺杂剂浓度大于1×10¹⁹N/cm³，其中，含P的层以碲掺杂，掺杂剂浓度大于3×10¹⁸N/cm³。

2.根据权利要求1所述的红外LED，其特征在于，在所述电流分配层(24)与所述上接通层(26)之间布置有第二隧道二极管(28)并且所述上接通层(26)是p掺杂的。

3.根据权利要求1或2所述的红外LED，其特征在于，所述下包覆层(16)主要包括由GaAs或AlGaAs或InGaAsP或GaAsP或InGaP或AlInGaP构成的化合物。

4.根据权利要求1或2所述的红外LED，其特征在于，所述上包覆层(20)主要包括由GaAs或AlGaAs或InGaAsP或GaAsP或InGaP或AlInGaP构成的化合物。

5.根据权利要求1或2所述的红外LED，其特征在于，所述有源层(18)由多量子阱结构构成并且具有15nm至350nm之间的厚度。

6.根据权利要求1或2所述的红外LED，其特征在于，所述电流分配层(24)具有0.1μm至3.0μm之间的厚度。

7.根据权利要求1或2所述的红外LED，其特征在于，所述电流分配层(24)包括n掺杂的Al_xGa_1-xAs层，所述n掺杂的Al_xGa_1-xAs层具有0％至20％之间的Al含量x。

8.根据权利要求1或2所述的红外LED，其特征在于，所述电流分配层(24)具有大于1.0E18N/cm³的n掺杂剂浓度。

9.根据权利要求1或2所述的红外LED，其特征在于，所述有源层(18)由In_xGa_1-xAs/GaAs_1-yP_y多量子阱结构构成，其中，0.1≤x≤0.2并且0.1≤y≤0.3。

10.根据权利要求2所述的红外LED，其特征在于，所述第二隧道二极管(28)包括含As的层，其中，所述含As的层以碳掺杂，和/或，所述第二隧道二极管包括含P的层，其中，所述含P的层以碲掺杂。

11.根据权利要求2或10所述的红外LED，其特征在于，所述第二隧道二极管(28)包括具有大于3×10¹⁸N/cm³的掺杂剂浓度的n掺杂的层和具有大于1×10¹⁹N/cm³的掺杂剂浓度的p掺杂的层。

12.根据权利要求1或2所述的红外LED，其特征在于，所述下包覆层(16)具有n掺杂和/或所述上包覆层(20)具有p掺杂。

13.根据权利要求5所述的红外LED，其特征在于，所述有源层(18)具有30nm至300nm之间的厚度。