[发明专利]基底基板、基底基板的制造方法和第13族氮化物结晶的制造方法有效
申请号: | 201680052907.X | 申请日: | 2016-09-30 |
公开(公告)号: | CN108138361B | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 平尾崇行;岩井真;今井克宏;吉野隆史 | 申请(专利权)人: | 日本碍子株式会社 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20;H01L21/208;C30B29/38;C30B19/12 |
代理公司: | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 | 代理人: | 王轶;郑雪娜 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基底 制造 方法 13 氮化物 结晶 | ||
1.一种基底基板,其包括第13族氮化物的晶种层,
在所述晶种层的主面以条纹状重复出现凸部和凹部,
所述凸部的阶差为0.5~10μm,所述凸部的宽度为10~50μm,所述凹部的厚度为2μm以上,所述凹部的宽度为100~250μm,
所述晶种层的主面的法线与所述晶种层的c轴的偏角在所述第13族氮化物的a轴方向为0.36°~1.2°,
所述凸部表面未被掩模覆盖,所述第13族氮化物露出。
2.根据权利要求1所述的基底基板,其中,所述凸部的边缘与所述第13族氮化物结晶的a晶面平行。
3.根据权利要求1或2所述的基底基板,其中,所述凹部的厚度为2~40μm。
4.一种基底基板的制造方法,是制作权利要求1~3中任一项所述基底基板的方法,
利用气相法使成为所述晶种层的第13族氮化物在蓝宝石基板上外延生长而成膜,在所述晶种层的主面按照以条纹状重复出现所述凸部和所述凹部的方式形成图案,由此得到基底基板。
5.一种第13族氮化物结晶的制造方法,将权利要求1~3中任一项所述的基底基板和第13族金属、金属钠一起放入容器中,一边向所述容器中导入氮气一边加热到700~1000℃,由此使第13族氮化物结晶在所述晶种层上生长。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本碍子株式会社,未经日本碍子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680052907.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造