[发明专利]导电结构体、包括该导电结构体的电极以及显示装置

权利要求书

1.一种导电结构体，包括：

基板；

第一金属层，其设置在所述基板上，并且由单一金属形成，在所述第一金属层具有0%透光率的厚度下，所述第一金属层在具有380nm至780nm波长的光中的平均光反射率为60%到100%；

第二金属层，其设置在所述第一金属层的至少一个表面上，由MoTi半透明层形成，所述MoTi半透明层在可见光区域中具有1%到60%的透光率；以及

光反射减少层，包括MoTi氮氧化物，所述光反射减少层设置在所述第二金属层上并且由半透明材料形成，

与没有设置所述第二金属层的情况相比，所述光反射减少层的表面在具有380 nm至780 nm波长的光中的平均光反射率降低7％至50％，并且

其中，在具有380nm至780nm的波长的光中，所述第二金属层的消光系数（k）为2.9以上且3.8以下。

2.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述第二金属层由两种或更多种金属形成，所述金属在所述第二金属层具有0％透光率的厚度下、在具有380 nm至780 nm波长的光中的平均光反射率为40％至60％。

3. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述第一金属层的厚度为10 nm以上且1μm以下。

4. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述第二金属层的厚度为3 nm以上且35nm以下。

5. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述光反射减少层的厚度为10 nm以上且100 nm以下。

6. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中，在具有380 nm至780 nm的波长的光中，所述光反射减少层的表面的平均光反射率为25％以下。

7. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中，在具有380 nm至780 nm的波长的光中，所述光反射减少层的消光系数（k）为0.2以上且1以下。

8.根据权利要求1所述的导电结构体，还包括：

导线，其设置在所述基板上，

其中，所述导线包括所述第一金属层、所述第二金属层和所述光反射减少层。

9.根据权利要求8所述的导电结构体，其中，所述导线包括导电图案，所述导电图案包括多个开口，并且所述导线将所述多个开口分开。

10. 根据权利要求9所述的导电结构体，其中，所述导线的线宽为0.1 μm以上且100 μm以下。

11. 根据权利要求9所述的导电结构体，其中，相邻的所述导线之间的线间距为0.1 μm以上且100 μm以下。

12.一种电极，包括权利要求1至11中任一项所述的导电结构体。

13.根据权利要求12所述的电极，其中，所述电极是用于触控面板的电极、用于液晶显示器的电极或用于OLED显示器的电极。

14.一种显示装置，包括权利要求12所述的电极。