[发明专利]用于表达嵌合抗原受体和其它受体的T细胞

说明书

用于制备可用于需要高活性、长寿命的T细胞群体的多种目的的T细胞群体的方法。对T细胞群体富集幼稚T细胞(TN)、记忆干细胞(TSCM)和中枢记忆T细胞(TCM)。可以通过下述两者自外周血单核细胞(PBMC)衍生这些细胞群体：1)消减不想要的细胞群体，诸如CD14表达性髓样细胞和CD25表达性细胞；和2)富集CD62L表达性记忆和幼稚T细胞。

发明背景

利用离体扩增的自体和同种异体(allogeneic)T细胞的过继性T细胞疗法(ACT)是用于治疗病毒感染、癌症和自身免疫性疾病的有吸引力的治疗方法。使大量治疗性T细胞能够快速生成的方法对于ACT的效力和安全性是至关重要的。已经对ACT使用各种T细胞富集方法，包括限定的T细胞亚组的选择，以及扩增方法。期望采用允许体内相对高的活性和相对高的增殖潜力的T细胞群体。

发明概述

本文中描述了用于制备可用于表达ACT的嵌合抗原受体(“CAR”)的T细胞群体的方法。T细胞群体也可用于需要高活性、长寿命的T细胞群体的多种其它目的。对通过本文中描述的方法制备的T细胞群体富集：幼稚T细胞(T_N)、记忆干细胞(T_SCM)和中枢记忆T细胞(T_CM)。因此，此类细胞群体可以描述为T_CM/SCM/N细胞或者T_CM/SCM/N细胞群体。可以通过以下两者从外周血单核细胞(PBMC)衍生这些细胞群体：1)消减不需要的细胞群体，如CD14表达性髓样细胞和CD25表达性细胞；和2)富集CD62L表达性记忆和幼稚T细胞。因此，所得到的细胞群体包括表达CD45RA和CD62L的T幼稚细胞(T_N)和干记忆细胞(T_SCM)。它还包括表达CD45RO和CD62L的中央记忆T细胞(T_CM)的群体。T_CM/SCM/N细胞群体与先前描述的T_CM细胞群体的不同之处在于它们的制备不需要消减CD45RA+T细胞。T_CM/SCM/N细胞群体在制备后相对不含效应记忆细胞(T_EM)和效应细胞(T_E)。当然，随着T_CM/SCM/N细胞群体发生扩增，会发生分化，例如产生T_E细胞。

可以工程化改造患者特异性、自体、和同种异体T_CM/SCM/N细胞(或同种异体的T_CM/SCM/N细胞)以表达嵌合抗原受体(CAR)或T细胞受体(TCR)，并且可以扩增工程化细胞并且在ACT中使用。

本文中描述了包含T细胞(即表达CD3的细胞或CD3+细胞)的分离的人细胞群体，其中T细胞包含中枢记忆T细胞；记忆干细胞T细胞和幼稚T细胞，其中大于40％(大于45％、50％、55％、60％、65％或70％)的T细胞是CD45RA+和大于70％(大于75％、80％、85％或90％)的T细胞是CD62L+。在各个实施方案中，小于15％(小于12％、10％、8％、或6％)的T细胞是CD14+，并且小于5％(小于4％、3％或2％)的T细胞是CD25+；大于10％(大于15％、20％、25％、30％、35％或40％)的T细胞含有重组核酸分子(例如编码嵌合抗原受体或T细胞受体的重组核酸分子；例如病毒载体如T细胞载体)；至少40％(大于45％、50％、55％、60％、65％或70％)的T细胞是CD4+和CD62L+或CD8+和CD62L+；至少10％(大于15％、20％、25％、30％、35％或40％)的T细胞是CD8+和CD62L+；小于60％(小于55％、50％、45％、40％、35％、30％、24％、20％或15％)的T细胞是CD45RO+；并且在包含T细胞的分离的细胞群体中至少80％(大于85％、90％、95％或98％)的细胞是T细胞。