[发明专利]电子器件及电子器件的密封方法

说明书

本发明的技术在于，提供一种具备具有高的阻气性能的密封层的电子器件，及使用有该密封层的电子器件的密封方法。本发明的电子器件为在基材上具有功能性元件及密封该功能性元件的密封层的电子器件，其中，所述密封层是含有第12～14族的非过渡金属(M1)的氧化物的第1阻气层和与该第1阻气层相接而配置的含有过渡金属(M2)的氧化物的第2阻气层的叠层体；或者是含有所述非过渡金属(M1)及所述过渡金属(M2)的复合氧化物的阻气层；或者是具有含有该复合氧化物的区域。

技术领域

本发明涉及一种电子器件及电子器件的密封方法。更详细而言，涉及一 种具备具有高的阻气性能的密封层的电子器件、及使用有该密封层的电子器 件的密封方法。

背景技术

电子器件、特别是有机电致发光器件(以下，也称为有机EL器件或有机 EL元件)，为了防止所使用的有机材料或电极的水分导致的劣化，形成包覆元 件的密封层。对于有机EL元件用的密封层，作为25±0.5℃、90±2％RH的环 境下的水蒸气透过率(WVTR)，需要10^-5～10^-6g/m²·24h左右的非常高的阻气 性。

目前，作为阻气性基材，制造使用有气相成膜器件的阻气膜。特别是关 于10^-3g/m²·24h台的阻气膜，利用溅射法等物理蒸镀(PVD)成膜器件来制造。

另外，为了得到水蒸气透过率低、光线透过率高的透明阻气基材，研究 了叠层阻气膜。例如，专利文献1中公开有如下技术：通过将A组(包含钽(Ta) 或铌(Nb)等)氧化物、氮化物、氧氮化物及B组(包含硼(B)、铝(Al)、硅(Si)、 钛(Ti)、钽(Ta)等)氧化物、氮化物、氧氮化物等用溅射法等进行叠层成膜，得 到叠层阻气膜，但阻气性能不充分，只能得到10^-2g/m²·24h等级的阻气膜。

另外，例如专利文献2中提案有组合有CVD(也称为chemical vapor deposition：化学气相蒸镀)成膜法而制成的氮化硅(SiN)膜(厚度2μm)和聚硅氮 烷涂布膜(厚度500nm)的密封膜。其中，聚硅氮烷涂布膜仅进行了涂布干燥而 形成，仅利用吸湿能力，因此，作为初期性能，虽然具有利用吸湿能力的表 观上的水蒸气阻断功能，但是，在吸湿能力饱和之后，水蒸气阻断功能丧失， 只能得到限定的效果。另外，在厚度2μm的SiN膜的形成中也必需需要长的 成膜时间的工序，而且，仅厚度2μm的SiN膜，不能满足所要求的阻气性。

另外，在如上所述的方法中，器件长时间暴露于高温下或强的紫外线 (UV)，因此，也存在元件性会显著地劣化的问题。因此，将暴露于高温或紫 外线(UV)的时间设为最小化，需要具备具有满足要求性能的阻气性的密封层 的电子器件、及使用有该密封层的电子器件的密封方法。

并且，正在研究有机化合物及无机化合物(金属氧化物、金属氮化物、金 属氧氮化物、金属碳化物等)的叠层膜均采用蒸镀法形成的方法，但水蒸气透 过率低，无法满足有机EL元件的密封。

因此，作为有机EL元件用的密封层，寻求生产率高，并且阻气性能高的 密封层。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-035128号公报

专利文献2：日本特开2013-200985号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

本发明是鉴于上述问题、状况而完成的，其解决的技术问题在于，提供 一种具备具有高阻气性能的密封层的电子器件，及使用有该密封层的电子器 件的密封方法。

用于解决技术问题的技术方案