[发明专利]成像元件和成像装置有效
申请号: | 201680053546.0 | 申请日: | 2016-09-30 |
公开(公告)号: | CN108028260B | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
发明(设计)人: | 丸山康 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 梁兴龙;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 成像 元件 装置 | ||
1.一种成像元件,包括:
形成在基板上的光电转换单元;
配置在所述光电转换单元的光入射侧的线栅偏振元件,所述线栅偏振元件包括多个条状部分;和
形成在所述线栅偏振元件上的保护层,
其中所述线栅偏振元件包括在所述多个条状部分的相邻条状部分之间的空隙。
2.根据权利要求1所述的成像元件,还包括:
形成在所述线栅偏振元件和所述保护层之间的第二保护层,其中所述保护层的材料的折射率大于第二保护层的材料的折射率。
3.根据权利要求1所述的成像元件,其中在所述多个条状部分的相邻条状部分之间的空隙也在所述保护层与第二保护层或绝缘层中的至少一个之间。
4.根据权利要求1所述的成像元件,其中所述保护层包含SiN,并且第二保护层包含SiO
5.根据权利要求1所述的成像元件,还包括:
形成在所述条状部分的侧面上的第二保护层。
6.根据权利要求1所述的成像元件,还包括:
至少部分地围绕所述线栅偏振元件的框架部分,其中所述框架部分与连结在一起的所述多个条状部分连结,并且所述框架部分以与所述线栅偏振元件的多个条状部分中的条状部分相同的方式构造。
7.根据权利要求1所述的成像元件,还包括多个光电转换单元,其中所述光电转换单元是所述多个光电转换单元中的一个,并且所述多个条状部分以连续的方式在所述多个光电转换单元上方延伸。
8.根据权利要求7所述的成像元件,还包括:
在所述线栅偏振元件和所述光电转换单元之间的片上透镜。
9.根据权利要求7所述的成像元件,还包括:
片上透镜,其中所述线栅偏振元件位于所述片上透镜和所述光电转换单元之间。
10.根据权利要求1所述的成像元件,还包括:
绝缘层,其中所述线栅偏振元件配置在所述绝缘层上。
11.根据权利要求1所述的成像元件,还包括:
位于所述成像元件的边缘部分处的沟槽部分。
12.根据权利要求11所述的成像元件,其中绝缘材料或遮光材料中的至少一种配置在所述沟槽部分内。
13.根据权利要求11所述的成像元件,其中所述沟槽部分配置在所述基板中。
14.根据权利要求13所述的成像元件,其中所述沟槽部分至少延伸到以下中的一个:延伸到所述线栅偏振元件、延伸到所述线栅偏振元件和所述光电转换单元之间的平坦化层、或者延伸到配线层,所述配线层配置在所述基板的与所述光电转换单元的光入射侧相对的一侧。
15.根据权利要求1所述的成像元件,还包括:
形成在所述基板的一个表面上的用于驱动所述光电转换单元的驱动电路,
其中所述光电转换单元形成在所述基板的另一个表面上。
16.根据权利要求1所述的成像元件,其中所述多个条状部分包括叠置的层状结构,每个叠置的层状结构包括由第一导电材料制成的光反射层、绝缘层和由第二导电材料制成的光吸收层。
17.根据权利要求16所述的成像元件,其中所述光反射层电连接到所述基板或所述光电转换单元。
18.根据权利要求16所述的成像元件,其中所述绝缘层形成在所述光反射层的整个顶面上,并且所述光吸收层形成在所述绝缘层的整个顶面上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的