[发明专利]纳米线激光器结构和制造方法

权利要求书

1.纳米线激光器结构(10、10'、10；42₁至42₄)，包括：

衬底(12)；

长型支承元件(14；44₁至44₄)，从所述衬底(12)延伸，所述支承元件(14；44₁-44₄)具有第一直径(d₁)；以及

长型本体元件(16；46₁至46₄)，在所述支承元件(14；44₁至44₄)上和/或周围延伸，所述本体元件(16；46₁至46₄)具有第二直径(d₂)，所述第二直径(d₂)比所述第一直径(d₁)大至少两倍；

其中，所述本体元件(16；46₁至46₄)与所述衬底(12)间隔开；

所述纳米线激光器结构(10、10'、10；42₁至42₄)，还包括pn结(24、26)或pin结；

其中，所述纳米线激光器结构(10、10'、10；42₁至42₄)适于发射波长为λ的激光信号，其中，所述支承元件(14；44₁至44₄)的所述第一直径(d₁)小于λ/(2n)，其中，n表示所述支承元件(14；44₁至44₄)的折射率；以及

其中，所述本体元件(16；46₁至46₄)的所述第二直径(d₂)不小于λ/m，其中，m表示所述本体元件(16；46₁至46₄)的折射率。

2.根据权利要求1所述的纳米线激光器结构(10、10'、10；42₁至42₄)，还包括在所述本体元件(16；46₁至46₄)与所述衬底(12)之间的第一反射层(18)。

3.根据权利要求2所述的纳米线激光器结构(10、10'、10；42₁至42₄)，其中，所述第一反射层(18)包括分布式布拉格反射器和/或高反差光栅。

4.根据前述权利要求中任一项所述的纳米线激光器结构(10、10'、10；42₁至42₄)，还包括形成在所述本体元件(16；46₁至46₄)上方的、在所述本体元件(16；46₁至46₄)的背离所述衬底(12)的侧部上的第二反射层(22；50₁至50₄)。

5.根据权利要求1所述的纳米线激光器结构(10、10'、10；42₁至42₄)，

其中，所述衬底(12)包括波导(34)；以及

所述支承元件(14；44₁-44₄)优选地从所述波导(34)延伸。