[发明专利]单晶拉制装置以及单晶拉制方法

权利要求书

1.一种单晶拉制装置，其具备：拉制炉，其配置有收容加热器及熔融的单晶材料的坩埚且具有中心轴；以及磁场产生装置，其设置在所述拉制炉周围且具有超导线圈，该单晶拉制装置通过向所述超导线圈的通电而对所述熔融的单晶材料施加水平磁场，抑制所述熔融的单晶材料在所述坩埚内的对流，所述单晶拉制装置的特征在于，

所述磁场产生装置以如下方式产生磁场分布：在将含有所述超导线圈的线圈轴的水平面内的所述中心轴上的磁力线方向作为X轴时，所述X轴上的磁通密度分布为向上凸的分布，在将所述水平面内的所述中心轴上的磁通密度作为磁通密度设定值的情况下，所述X轴上的磁通密度在坩埚壁中为所述磁通密度设定值的80％以下，同时在所述水平面内与所述X轴正交且通过所述中心轴的Y轴上的磁通密度分布为向下凸的分布，所述Y轴上的磁通密度在坩埚壁中为所述磁通密度设定值的140％以上，

在所述磁场产生装置中，将分别相对配置的超导线圈的线圈对以各自的线圈轴被包含在同一水平面内的方式设置两对，并且使所述线圈轴间的夹着所述X轴的中心角度α为100度以上120度以下。

2.一种单晶拉制方法，其特征在于，其使用权利要求1所述的单晶拉制装置来拉制半导体单晶。