[发明专利]用于转移单晶块的方法

说明书

本发明涉及一种转移方法，该转移方法包括以下步骤：a、提供中间基板(10)，该中间基板(10)在其一个表面上包括多个块(20)，所述块(20)由单晶材料制成，所述块(20)包括脆化区域(50)，该脆化区域(50)限定旨在用于被转移到最终基板(60)上的块部分(70)；b、通过使块(20)中的每个的自由表面(40)接触所述最终基板(60)来执行组装步骤；以及c、在该组装步骤之后，在块(20)中的每个的脆化区域(50)处执行分离；该转移方法的特征在于，在该组装步骤期间，该中间基板(10)变形，使得所述块(20)的自由表面变为共面的。

技术领域

本发明涉及用于在最终基板的表面上将基板重建为单晶块阵列的改良转移方法。

本发明还涉及由该转移方法获得的堆叠物。

背景技术

从美国专利案6,562,127B1中所述和图1中所示的现有技术已知的转移方法包括以下步骤：

a、提供中间基板1，该中间基板1在其一个面上包括根据第一主面3组装到该中间基板1上的多个块2，所述块2具有与该第一主面3相反的自由表面4且是单晶材料，所述块2包括脆化区域5，每个块2的脆化区域5和自由表面4界定旨在被转移到最终基板6上的块部分7；

b、通过使块2中的每个的自由表面4接触该最终基板6来执行组装步骤；

c、在块2中的每个块的脆化区域5处执行分离，以便将块2中的每个块的块部分7转移到该最终基板6上。

“块”表示包括两个大致平行主面的实体，该块2的两个平行面均通过侧表面连接。该块2的两个主面均可具有规则或不规则的任何可能形状。

在该转移方法结束时，所述块部分7被转移到该最终基板6上，如图2所示。

因此该最终基板6的表面被块部分7覆盖，可在所述块部分7上制造用于微电子学、光子学、光电子学、太阳光电的装置。

所述块2可包括具有例如正方形、或矩形、或六边形、或多边形或圆形的平行面，且在该中间基板1上规则地定位成例如网。因此所述块部分7也可规则地定位在该最终基板6上。

当构成所述块2的材料只能关于所考虑的工业应用形成为具有不足尺寸(小直径)的基板时，该转移方法特别重要。

特别地，磷化铟(InP)基板目前只能作为具有100mm直径的基板使用。目前电路生产线中的这种InP基板根本不可能用到200mm基板上。

根据相关材料，且就对应材料的市场出售的成熟度而言，该限制尺寸会随着时间改变。例如，就硅而言是300mm。

用于该方法的感兴趣材料列表特别地包括：例如，SiC、GaN、InP、GaSb、GaP、InAs、Ge、ZnO、LiTaO₃、LiNbO₃、钻石、蓝宝石、MgO、CeO₂、YSZ、SrTiO₃、BaTiO₃、LaAlO₃。

该列表也可包括确定通常可以以大直径但不按照某些特性或规格供应的材料。例如硅事实上现在可以以300mm的直径供应，但它无法利用只容许极低残余氧含量的熔融区域型铸块成长技术以该直径获得。

一个或多个小尺寸基板可切成多个块2。

所述块2然后被组装在中间基板1上。

最后，将如美国专利6,562,127B1中所述的方法所限定的块部分7转移在最终基板6上。该最终基板6可具有任何尺寸和形状。

因此，不论形成所述块2的基板的尺寸如何，均可将给定材料的块部分7转移到具有大于200mm直径或甚至大于300mm直径的尺寸的圆形基板上。