[发明专利]用于毫秒退火系统的预热方法

权利要求书

1.一种用于毫秒退火系统的预热方法；

将衬底置于在毫秒退火系统的处理室中的晶片支承板上，所述处理室被分成顶部室和底部室；

使用温度传感器获得指示所述晶片支承板温度的一个或更多个温度测量值；

至少部分地基于指示所述晶片支承板温度的所述一个或更多个温度测量值来应用预热制度以加热所述晶片支承板；

其中，至少部分地基于指示所述晶片支承板温度的所述一个或更多个温度测量值来应用预热制度以加热所述晶片支承板包括应用所述预热制度来加热所述晶片支承板直到所述晶片支承板的温度达到预设温度；

其中，当所述晶片支承板达到所述预设温度时，所述方法包括：

停止所述预热制度；以及

对所述处理室中的第二衬底应用工艺制度，所述工艺制度不同于所述预热制度。

2.根据权利要求1所述的预热方法，其中，所述晶片支承板包括石英材料。

3.根据权利要求1所述的预热方法，其中，所述衬底包括伪半导体衬底。

4.根据权利要求1所述的预热方法，其中，所述预热制度指定使用位于靠近所述毫秒退火系统中的底部处理室的一个或更多个连续模式灯来加热所述晶片支承板和所述衬底。

5.根据权利要求4所述的预热方法，其中，至少部分地基于指示所述晶片支承板温度的所述一个或更多个温度测量值控制所述一个或更多个连续模式灯。

6.根据权利要求1所述的预热方法，其中，所述温度传感器包括具有与大于4μm的波长相关联的测量温度的高温计。

7.根据权利要求1所述的预热方法，其中，所述温度传感器位于所述底部室中并且具有所述晶片支承板的视场而不受所述毫秒退火系统的水窗的遮挡。

8.一种用于毫秒退火系统的预热方法，所述预热方法包括：

从具有毫秒退火系统中的晶片支承板的视场的温度传感器获得一个或更多个温度测量值，所述毫秒退火系统具有被分成顶部处理室和底部处理室的处理室；

至少部分地基于所述一个或更多个温度测量值应用脉冲预热制度以加热所述毫秒退火系统中的所述晶片支承板；

其中，在应用所述脉冲预热制度期间没有衬底位于所述晶片支承板上；

其中，至少部分地基于所述一个或更多个温度测量值应用脉冲预热制度以加热所述毫秒退火系统中所述晶片支承板包括应用所述预热制度来加热所述晶片支承板直到所述晶片支承板的温度达到预设温度；

其中，当所述晶片支承板达到所述预设温度时，所述方法包括：

停止所述预热制度；以及

对所述处理室中的第二衬底应用工艺制度，所述工艺制度不同于所述预热制度。

9.根据权利要求8所述的预热方法，其中，所述晶片支承板包括石英材料。

10.根据权利要求8所述的预热方法，其中，所述脉冲预热制度指定复数个加热光脉冲。

11.根据权利要求8所述的预热方法，其中，所述温度传感器包括具有与大于4μm的波长相关联的测量温度的高温计。