[发明专利]具备SiC层的化合物半导体基板有效
| 申请号： | 201680054414.X | 申请日： | 2016-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN108026638B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 生川满久;深泽晓;铃木悠宜;川村启介 | 申请（专利权）人： | 爱沃特株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812;H01L33/32;H01L21/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具备 sic 化合物 半导体 | ||
1.一种化合物半导体基板，其具备：
SiC层；
在所述SiC层上形成的AlN缓冲层；
在所述AlN缓冲层上形成的、包含Al的氮化物半导体层；
在所述氮化物半导体层上形成的第一GaN层；
与所述第一GaN层接触且在所述第一GaN层上形成的第一AlN中间层；以及
与所述第一AlN中间层接触且在所述第一AlN中间层上形成的第二GaN层，
所述氮化物半导体层包含：
包含Al和Ga的第一氮化物半导体层；
与所述第一氮化物半导体层接触且在所述第一氮化物半导体层上形成的第二AlN层；以及
与所述第二AlN层接触且在所述第二AlN层上形成的、包含Al和Ga的第二氮化物半导体层，
所述第一氮化物半导体层和所述第二氮化物半导体层中的至少任一层的内部的Al组成比从所述氮化物半导体层的下部朝向上部减少。
2.根据权利要求1所述的化合物半导体基板，其中，所述氮化物半导体层的内部的Al组成比从下部朝向上部减少。
3.根据权利要求1所述的化合物半导体基板，其中，所述第二GaN层具有压缩应变。
4.根据权利要求1所述的化合物半导体基板，其中，所述氮化物半导体层具有900nm以上且2μm以下的厚度。
5.根据权利要求1所述的化合物半导体基板，其中，所述第一GaN层具有550nm以上且1000nm以下的厚度。
6.根据权利要求1所述的化合物半导体基板，其中，所述第一AlN中间层具有5nm以上且9nm以下的厚度。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
