[发明专利]用于改善毫秒退火系统中的处理均匀性的方法有效
申请号: | 201680054608.X | 申请日: | 2016-12-14 |
公开(公告)号: | CN108028200B | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 亚历山大·科斯塞夫;马库斯·哈格多恩;克里斯蒂安·普法勒 | 申请(专利权)人: | 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/67 |
代理公司: | 北京易光知识产权代理有限公司 11596 | 代理人: | 崔晓光 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 改善 毫秒 退火 系统 中的 处理 均匀 方法 | ||
1.一种用于在毫秒退火系统中热处理衬底的方法,包括:
在毫秒退火系统中的处理期间获得指示与一个或更多个衬底相关联的温度分布的数据,所述毫秒退火系统具有将处理室分成顶部室和底部室的晶片平板;以及
至少部分地基于指示所述温度分布的所述数据来调节所述处理室中的压力,以影响在整个所述一个或更多个衬底上的温度均匀性;
其中,调节所述处理室中的压力包括基于所述处理室中的压力使水窗翘曲。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,调节所述压力包括在处理所述一个或更多个衬底中的至少一个衬底期间调节所述处理室中的压力,以调节所述一个或更多个衬底中的所述至少一个衬底的温度分布。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述压力被调节成处于相对于大气压力为+2kPa至-2kPa的范围内。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,调节所述处理室中的压力包括调节所述处理室与配置成使处理气体流动通过所述处理室的气体流动系统中的下游管线之间的压力差,所述下游管线位于所述处理室中的一个或更多个排气开口的下游。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,调节所述压力差包括调节设置在所述下游管线中的阀。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述阀通过一个或更多个控制器基于来自配置成测量所述处理室内的压力的压力传感器的一个或更多个信号来调节。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述压力被调节以影响所述处理室中的处理气体的流动模式。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述水窗包括内板和外板,水在所述内板与所述外板之间流动,所述内板相对于所述外板更靠近所述处理室设置。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述水窗被翘曲成使得所述水窗的所述内板背向所述处理室弯曲,以提供对灯光的散焦作用。
10.根据权利要求8所述的方法,其中,所述水窗被翘曲成使得所述水窗的所述外板朝向所述处理室弯曲,以提供对灯光的聚焦作用。
11.根据权利要求1所述的方法,所述方法进一步包括:
至少部分地基于所述温度分布来调节所述毫秒退火系统中的边缘反射器或楔反射器中的一者或更多者的形状、构型或位置。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述楔反射器位于靠近所述晶片平板的室壁上。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,调节所述毫秒退火系统中的边缘反射器或楔反射器中的一者或更多者的形状、构型或位置包括调节所述楔反射器的楔角。
14.根据权利要求12所述的方法,其中,调节所述毫秒退火系统中的边缘反射器或楔反射器中的一者或更多者的形状、构型或位置包括调节所述楔反射器的高度。
15.根据权利要求12所述的方法,其中,所述边缘反射器位于所述晶片平板中。
16.根据权利要求11所述的方法,其中,调节所述毫秒退火系统中的边缘反射器或楔反射器中的一者或更多者的形状、构型或位置包括调节所述边缘反射器的表面轮廓。
17.根据权利要求11所述的方法,其中,调节所述毫秒退火系统中的边缘反射器或楔反射器中的一者或更多者的形状、构型或位置包括利用一个或更多个控制器在所述衬底的处理期间调节所述楔反射器相对于所述衬底的位置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司,未经玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680054608.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造