[发明专利]静电卡盘装置在审
申请号: | 201680055076.1 | 申请日: | 2016-09-13 |
公开(公告)号: | CN108028219A | 公开(公告)日: | 2018-05-11 |
发明(设计)人: | 前田进一;三浦幸夫;小坂井守;河野仁 | 申请(专利权)人: | 住友大阪水泥股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H02N13/00 |
代理公司: | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人: | 杨楷;毛立群 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 卡盘 装置 | ||
1.一种静电卡盘装置,其具备:
静电卡盘部,具有载置板状试样的载置面,且内置有静电吸附用电极;
温度调整用基部,与所述静电卡盘部的与所述载置面相反的一侧的面相对地配置;
粘接部,将所述静电卡盘部与所述温度调整用基部之间进行粘接;及
环状的聚焦环,包围所述载置面的周围,
所述温度调整用基部具有载置所述静电卡盘部的平坦部与包围所述静电卡盘部周围的堤部,
所述聚焦环在俯视观察时横跨所述静电卡盘部与所述堤部而配设,
所述粘接部将所述堤部与所述静电卡盘部的侧面之间进行粘接,
所述堤部与所述静电卡盘部之间的所述粘接部的上表面较所述静电卡盘部的上表面及所述堤部配置于更靠下方,
形成有由所述静电卡盘部、所述聚焦环、所述粘接部及所述堤部所包围的空间,
所述空间的体积大于所述粘接部在使用温度下的体积膨胀量。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘装置,其中,
从所述静电卡盘部的上表面直至所述粘接部的上表面为止的距离为0.1mm以上且0.7mm以下。
3.根据权利要求1或2所述的静电卡盘装置,其中,
所述静电卡盘部的上表面较所述堤部的上表面配置于更靠上方,所述聚焦环由所述静电卡盘部的周缘的上表面进行支承。
4.根据权利要求1或2所述的静电卡盘装置,其中,
所述粘接部具有所述静电卡盘部与所述平坦部之间的第1区域和所述静电卡盘部及所述堤部之间的第2区域,
所述第2区域的杨氏模量小于所述第1区域的杨氏模量。
5.根据权利要求4所述的静电卡盘装置,其中,
所述第2区域的导热性低于所述第1区域的导热性。
6.一种静电卡盘装置,其具备:
静电卡盘部,具有载置板状试样的载置面,且内置有静电吸附用电极;
温度调整用基部,与所述静电卡盘部的与所述载置面相反的一侧的面相对地配置;及
粘接部,将所述静电卡盘部与所述温度调整用基部进行粘接,
所述温度调整用基部具有载置所述静电卡盘部的平坦部与包围所述静电卡盘部周围的堤部,
所述粘接部从所述静电卡盘部与所述平坦部之间延伸至所述静电卡盘部与所述堤部之间而配置,
在所述粘接部中,所述静电卡盘部与所述平坦部之间的第1区域的导热率,高于所述粘接部中的所述静电卡盘部与所述堤部之间的第2区域的导热率。
7.根据权利要求6所述的静电卡盘装置,其中,
所述粘接部的所述第1区域具有填料,所述粘接部的所述第2区域不具有填料。
8.根据权利要求6或7所述的静电卡盘装置,其中,
所述粘接部的所述第2区域的杨氏模量小于所述粘接部的所述第1区域的杨氏模量。
9.根据权利要求6或7所述的静电卡盘装置,其还具有聚焦环,配置于所述静电卡盘部及所述堤部的上方,且在所述载置面的周围沿着所述载置面的圆周方向而设置,
所述第2区域中的所述粘接部的上表面较所述静电卡盘部的上表面及所述堤部的上表面配置于更靠下方。
10.根据权利要求9所述的静电卡盘装置,其中,
所述静电卡盘部的上表面较所述堤部的上表面配置于更靠上方,
所述聚焦环是由所述静电卡盘部的周缘的上表面进行支承。
11.根据权利要求10所述的静电卡盘装置,其中,
形成有由所述静电卡盘部、所述聚焦环、所述粘接部及所述堤部所包围的空间,
所述空间的体积大于所述粘接部在使用温度下的体积膨胀量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造