[发明专利]通孔填充基板及其制造方法以及前体

权利要求书

1.一种通孔填充基板的制造方法，其包括：在具有孔部的绝缘性基板的孔部壁面形成含有活性金属的金属膜的金属膜形成工序；将烧成前后的体积变化率为-10～20％的导体糊填充于形成有金属膜的孔部的填充工序；和对填充有导体糊的绝缘性基板进行烧成的烧成工序。

2.如权利要求1所述的制造方法，其中，在金属膜形成工序中，在孔部壁面形成包含选自由Ti、Zr、Nb、Ta、Cr、Mn和Al组成的组中的至少一种活性金属或者含有该活性金属的合金的活性金属层。

3.如权利要求2所述的制造方法，其中，在金属膜形成工序中，在活性金属层上进一步形成包含选自由Mo、W、Ni、Pd和Pt组成的组中的至少一种金属或者含有该金属的合金的非透过层。

4.如权利要求1～3中任一项所述的制造方法，其中，在金属膜形成工序中，在与导体糊接触的最表面形成含有与导体糊中所含的金属相同或者能够合金化的金属的接合层。

5.如权利要求1～4中任一项所述的制造方法，其中，在金属膜形成工序中，利用物理蒸镀法形成金属膜。

6.如权利要求1～5中任一项所述的制造方法，其中，进一步包括退火工序作为填充工序的前工序，所述退火工序中，在惰性气体气氛中，在400℃以上、并且构成金属膜的全部金属种中熔点最低的金属的熔点和构成金属膜的合金的熔点中任意较低一者的熔点以下的温度下对金属膜进行加热。

7.如权利要求1～6中任一项所述的制造方法，其中，导体糊含有金属粒子和有机载体，所述金属粒子含有粒径小于1μm的金属小粒子和粒径为1～50μm的金属大粒子，并且所述有机载体的比例相对于糊整体为40体积％以下。

8.如权利要求7所述的制造方法，其中，金属粒子为选自由Cu、Ag、Ni、Au、Pt和Al组成的组中的至少一种金属或者含有该金属的合金。

9.如权利要求7或8所述的制造方法，其中，金属小粒子含有粒径100nm以下的金属纳米粒子。

10.如权利要求1～9中任一项所述的制造方法，其中，导体糊不含玻璃成分。

11.如权利要求1～10中任一项所述的制造方法，其中，绝缘性基板为陶瓷基板、玻璃基板、硅基板或者搪瓷基板。

12.一种通孔填充基板前体，其具备：具有孔部的绝缘性基板、在所述孔部壁面形成的含有活性金属的金属膜、和填充于形成有该金属膜的所述孔部中并且烧成前后的体积变化率为-10～20％的导体糊。

13.一种通孔填充基板，其是具备具有孔部的绝缘性基板、在所述孔部壁面形成的含有活性金属的金属膜、和由填充于形成有该金属膜的所述孔部的导体形成的导电通孔部的通孔填充基板，其中，

所述金属膜含有活性金属层和非透过层和/或接合层，

所述活性金属层形成在所述绝缘性基板的孔部壁面，包含选自由Ti、Zr、Nb、Ta、Cr、Mn和Al组成的组中的至少一种活性金属或者含有该活性金属的合金，

所述非透过层形成于所述活性金属层上，包含选自由Mo、W、Ni、Pd和Pt组成的组中的至少一种金属或者含有该金属的合金，并且，

所述接合层形成于与导电通孔部接触的最表面，包含与所述导电通孔部中所含的金属相同或者能够合金化的金属。

14.如权利要求13所述的通孔填充基板，其中，绝缘性基板含有金属氧化物，并且活性金属层在孔部壁面侧具有由活性金属的氧化物形成的层。