[发明专利]基于隧穿场效应晶体管（TFET）的高密度和低功率时序

权利要求书

1.一种装置，包括：

第一p型隧穿场效应晶体管(TFET)；

第一n型TFET，所述第一n型TFET与所述第一p型TFET串联耦合；

第一节点，所述第一节点耦合至所述第一p型TFET和所述第一n型TFET的栅极端子；

第一时钟节点，所述第一时钟节点耦合至所述第一p型TFET的源极端子，所述第一时钟节点用于提供第一时钟；以及

第二时钟节点，所述第二时钟节点耦合至所述第一n型TFET的源极端子，所述第二时钟节点用于提供第二时钟。

2.如权利要求1所述的装置，包括：第一TFET反相器，所述第一TFET反相器具有分别耦合至所述第一p型TFET和所述第一n型TFET的漏极端子的输入端、以及输出端。

3.如权利要求2所述的装置，包括：

第二p型TFET，所述第二p型TFET具有耦合至所述第二时钟节点的源极端子以及耦合至所述第一TFET反相器的输出端的栅极端子；以及

第二n型TFET，所述第二n型TFET与所述第二p型TFET串联耦合，所述第二n型TFET具有耦合至所述第一时钟节点的源极端子，并且具有耦合至所述第一TFET反相器的输出端的栅极端子。

4.如权利要求3所述的装置，其中，所述第二p型TFET和所述第二n型TFET的漏极端子耦合至所述第一p型TFET和所述第一n型TFET的漏极端子。

5.如权利要求3所述的装置，包括：

第三p型TFET，所述第三p型TFET具有耦合至所述第二时钟节点的源极端子，并且具有耦合至所述第一TFET反相器的输出端的栅极端子；以及

第三n型TFET，所述第三n型TFET与所述第三p型TFET串联耦合，所述第三n型TFET具有耦合至所述第一时钟节点的源极端子，并且具有耦合至所述第一TFET反相器的输出端的栅极端子。

6.如权利要求5所述的装置，包括：第二TFET反相器，所述第二TFET反相器具有分别耦合至所述第三p型TFET和所述第三n型TFET的漏极端子的输入端、以及输出端。

7.如权利要求6所述的装置，包括：

第四p型TFET，所述第四p型TFET具有耦合至所述第一时钟节点的源极端子，并且具有耦合至所述第二TFET反相器的输出端的栅极端子；以及

第四n型TFET，所述第四n型TFET与所述第四p型TFET串联耦合，所述第四n型TFET具有耦合至所述第二时钟节点的源极端子，并且具有耦合至所述第二TFET反相器的输出端的栅极端子。

8.如权利要求7所述的装置，其中，所述第四p型TFET和所述第四n型TFET的漏极端子耦合至所述第三p型TFET和所述第三n型TFET的漏极端子。

9.如权利要求7所述的装置，包括：第三TFET反相器，所述第三TFET反相器具有分别耦合至所述第三p型TFET和所述第三n型TFET的漏极端子的输入端、以及输出端。

10.如权利要求1所述的装置，包括一对反相器，所述一对反相器用于从时钟源生成所述第一时钟和所述第二时钟。

11.如权利要求1所述的装置，其中，所述第二时钟是所述第一时钟的反相。