[发明专利]存储器中的分割擦除

权利要求书

1.一种存储器控制器设备，包括：

子块分割器，用于识别将要被部分或完全擦除的存储器的目标子块；

漏极侧泄漏驱动器，用于在与目标子块关联的一个或多个目标选择栅漏极侧(SGD)装置中触发漏电流状况，其中漏极侧泄漏驱动器经多个栅极脉冲将所述一个或多个目标SGD装置的栅极电压设置为产生超过阈值的反向偏置电压的值，所述阈值与漏电流状况对应；

漏极侧泄漏抑制器，用于在与存储器的剩余子块关联的一个或多个剩余SGD装置中抑制漏电流状况，其中漏极侧泄漏抑制器用于将所述一个或多个剩余SGD装置的栅极电压设置为不产生超过所述阈值的反向偏置电压的值；和

源极侧泄漏抑制器，用于在与目标子块关联的一个或多个选择栅源极侧(SGS)装置中抑制漏电流状况，

其中目标子块包括公共SGD选择线以将目标子块的第一NAND串的第一SGD装置的栅极连接到目标子块的第二NAND串的第二SGD装置的栅极；以及

其中第一NAND串连接至第一源极线且第二NAND串连接至第二源极线。

2.如权利要求1所述的设备，还包括：串分割器，用于识别目标子块中将要被擦除的目标NAND串，其中将会在与目标NAND串关联的仅一个目标SGD装置中触发漏电流状况，并且将会在与目标子块中的剩余NAND串关联的一个或多个剩余SGD装置中抑制漏电流状况。

3.如权利要求2所述的设备，还包括：

位线选择器，用于经多个漏极脉冲将施加于所述一个目标SGD装置的漏极的位线电压设置为产生超过所述阈值的反向偏置电压的值；和

位线抑制器，用于将施加于所述一个或多个剩余SGD装置的漏极的位线电压设置为不产生超过所述阈值的反向偏置电压的值。

4.如权利要求1至3中任何一项所述的设备，还包括：字线管理器，用于将施加于目标子块和剩余子块的线电压分级。

5.一种粒度增强计算系统，包括：

至少一个处理器；

网络接口，以可通信方式耦合到所述至少一个处理器；

存储器，包括多个块；其中每个块包括多个子块并且每个子块包括多个NAND串；和

存储器控制器，以可通信方式耦合到所述至少一个处理器和存储器，所述存储器控制器包括：

子块分割器，用于识别将要被部分或完全擦除的存储器的目标子块；

漏极侧泄漏驱动器，用于在与目标子块关联的一个或多个目标选择栅漏极侧(SGD)装置中触发漏电流状况；和

漏极侧泄漏抑制器，用于在与存储器的剩余子块关联的一个或多个剩余SGD装置中抑制漏电流状况，

其中目标子块包括公共SGD选择线以将目标子块的第一NAND串的第一SGD装置的栅极连接到目标子块的第二NAND串的第二SGD装置的栅极；以及

其中第一NAND串连接至第一源极线且第二NAND串连接至第二源极线，其中所述漏极侧泄漏驱动器用于经多个栅极脉冲将所述一个或多个目标SGD装置的栅极电压设置为产生超过阈值的反向偏置电压的值，所述阈值与漏电流状况对应。

6.如权利要求5所述的系统，其中所述漏极侧泄漏抑制器用于将所述一个或多个剩余SGD装置的栅极电压设置为不产生超过阈值的反向偏置电压的值，所述阈值与漏电流状况对应。

7.如权利要求5所述的系统，其中所述存储器控制器还包括源极侧泄漏抑制器用于在与目标子块关联的一个或多个选择栅源极侧(SGS)装置中抑制漏电流状况。

8.如权利要求5所述的系统，其中所述存储器控制器还包括串分割器用于识别目标子块中将要被擦除的目标NAND串，其中将会在与目标NAND串关联的仅一个目标SGD装置中触发漏电流状况，并且将会在与目标子块中的剩余NAND串关联的一个或多个剩余SGD装置中抑制漏电流状况。