[发明专利]摄像元件及电子相机有效

专利信息
申请号: 201680056712.2 申请日: 2016-09-27
公开(公告)号: CN108141552B 公开(公告)日: 2020-08-11
发明(设计)人: 釜下敦;驹井敦;高木彻;石田知久 申请(专利权)人: 株式会社尼康
主分类号: H04N5/369 分类号: H04N5/369;H01L27/14;H01L27/146;H04N5/361
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 陈伟;闫剑平
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 摄像 元件 电子 相机
【权利要求书】:

1.一种摄像元件,其特征在于,具备:

第一半导体层,其设置有对光进行光电转换的光电转换部、蓄积通过所述光电转换部进行光电转换而得到的电荷的蓄积部、和将通过所述光电转换部生成的电荷传输至所述蓄积部的传输部;

第二半导体层,其设置有供给部,所述供给部具有通过第一电源部被施加比所述第一半导体层的电压高的电压的第一扩散部、和通过第二电源部被施加比所述第一半导体层的电压低的电压的第二扩散部,所述供给部将用于从所述光电转换部向所述蓄积部传输电荷的传输信号供给至所述传输部;以及

第三半导体层,其被输入基于传输至所述蓄积部的所述电荷的信号。

2.根据权利要求1所述的摄像元件,其特征在于,

所述第二半导体层具有薄膜晶体管。

3.根据权利要求1所述的摄像元件,其特征在于,

所述第一半导体层及所述第三半导体层由半导体衬底构成。

4.根据权利要求1所述的摄像元件,其特征在于,

所述第二半导体层配置于在作为所述第一半导体层的半导体衬底与作为所述第三半导体层的半导体衬底之间设置的绝缘部。

5.根据权利要求1所述的摄像元件,其特征在于,

所述第一半导体层为具备硅衬底、埋入氧化膜层和硅层的SOI衬底中的所述硅衬底及所述硅层中的一方,所述第二半导体层为所述硅衬底及所述硅层的另一方。

6.根据权利要求5所述的摄像元件,其特征在于,

所述第三半导体层由半导体衬底构成。

7.根据权利要求1所述的摄像元件,其特征在于,

多个所述供给部中的一部分所述供给部使在第一期间由所述光电转换部生成的电荷传输至所述蓄积部,另一部分所述供给部供给使在与所述第一期间的长度不同的第二期间由所述光电转换部生成的电荷传输至所述蓄积部的所述传输信号。

8.根据权利要求1所述的摄像元件,其特征在于,

所述供给部将基于通过所述第一电源部施加来的电压的第一电压供给至所述传输部,将基于通过所述第二电源部施加来的电压的第二电压供给至所述传输部。

9.根据权利要求8所述的摄像元件,其特征在于,

所述传输部在由所述供给部供给所述第一电压时,将通过所述光电转换部进行光电转换而得到的电荷传输至所述蓄积部,在由所述供给部供给所述第二电压时,不将通过所述光电转换部进行光电转换而得到的电荷向所述蓄积部传输。

10.根据权利要求9所述的摄像元件,其特征在于,

所述供给部具有电平转换电路,该电平转换电路将由为接地电压以上的第三电压和为接地电压以上且比所述第三电压高的第四电压构成的驱动信号转换为由所述第一电压和所述第二电压构成的所述传输信号。

11.根据权利要求10所述的摄像元件,其特征在于,

还具备将所述驱动信号输出至所述电平转换电路的反相电路,

所述电平转换电路包含至少6个晶体管,在所述驱动信号为所述第三电压时,输出作为所述第一电压的所述传输信号,在所述驱动信号为所述第四电压时,输出作为所述第二电压的所述传输信号。

12.根据权利要求1所述的摄像元件,其特征在于,

所述光电转换部设置于所述第一半导体层的供光入射的面,所述传输部及所述蓄积部设置于所述第一半导体层的所述第二半导体层侧的面。

13.根据权利要求1所述的摄像元件,其特征在于,

所述供给部针对每个所述光电转换部设置。

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