[发明专利]基于互补电流场效应晶体管装置的参考产生器和电流源晶体管

权利要求书

1.一种与绝对温度成比例参考电压电路，包括：

一对互补的n型电流场效应晶体管(NiFET)和P型电流场效应晶体管(PiFET)，所述NiFET和PiFET中的每个包括：

所述PiFET和NiFET中的所述每个的源极端子、漏极端子、栅极端子和对应导电类型的扩散端子，界定所述源极端子与所述扩散端子之间的源极沟道以及所述漏极端子与所述扩散端子之间的漏极沟道，所述扩散端子引起整个所述源极和漏极沟道中的所述扩散电荷密度的改变，且所述栅极端子电容耦合到所述源极沟道和所述漏极沟道；

其中所述PiFET的所述栅极端子和所述NiFET的所述栅极端子连接在一起以形成共用栅极端子，所述NiFET的所述源极端子连接到负电源且所述PiFET的所述源极端子连接到正电源，且所述NiFET和所述PiFET的漏极端子连接在一起以形成输出；且

其中所述互补对的所述共用栅极与所述互补对的所述输出连接在一起以用于产生模拟零参考电压，在所述PiFET的所述扩散端子处提供正轨道与绝对温度互补(或CTAT)参考电压输出且在所述NiFET的所述扩散端子处提供负轨道与绝对温度成比例(或PTAT)参考电压输出。

2.一种正电流参考和负电流参考产生器，包括：

a.第一及第二对互补的n型电流场效应晶体管(NiFET)和P型电流场效应晶体管(PiFET)，所述NiFET和PiFET中的每个包括：

所述PiFET和NiFET中的所述每个的对应导电类型的扩散端子、源极端子、漏极端子和栅极端子，

所述漏极端子界定所述源极端子与所述扩散端子之间的源极沟道以及所述漏极端子与所述扩散端子之间的漏极沟道，所述扩散端子引起整个所述源极和漏极沟道中的所述扩散电荷密度的改变，且所述栅极端子电容耦合到所述源极沟道和所述漏极沟道；

其中，对于每个互补对，所述PiFET的所述栅极端子和所述NiFET的所述栅极端子连接在一起以形成共用栅极端子，所述NiFET的所述源极端子连接到负电源且所述PiFET的所述源极端子连接到正电源，且所述NiFET和所述PiFET的所述漏极端子连接在一起以形成输出；且

其中所述第一及第二互补对的所述共用栅极与所述第一互补对的所述输出连接在一起，从而在所述第一互补对的所述PiFET的所述扩散端子处将正轨道与绝对温度互补(或CTAT)参考电压输出提供到所述第二互补对的所述PiFET的所述扩散端子以用于产生所述负参考电流；且在所述第一互补对的所述NiFET的所述扩散端子处将负轨道与绝对温度成比例(或PTAT)参考电压输出提供到所述第二互补对的所述NiFET的所述扩散沟道以用于产生所述正参考电流。

3.一种堆叠式与绝对温度成比例参考电压电路，包括：

多对互补的n型电流场效应晶体管(NiFET)和P型电流场效应晶体管(PiFET)，所述NiFET和PiFET中的每个包括：

所述PiFET和NiFET中的所述每个的源极端子、漏极端子、栅极端子和对应导电类型的扩散端子，界定所述源极端子与所述扩散端子之间的源极沟道以及所述漏极端子与所述扩散端子之间的漏极沟道，所述扩散端子引起整个所述源极和漏极沟道中的所述扩散电荷密度的改变，且所述栅极端子电容耦合到所述源极沟道和所述漏极沟道；

其中所述PiFET的所述栅极端子和所述NiFET的所述栅极端子连接在一起以形成共用栅极端子，且所述NiFET和所述PiFET的漏极端子连接在一起以形成输出；且

其中所述互补对的所述共用栅极与所述互补对的所述输出连接在一起以用于产生模拟零参考电压，在所述PiFET的所述扩散端子处提供正轨道与绝对温度互补(或CTAT)参考电压输出且在所述NiFET的所述扩散端子处提供负轨道与绝对温度成比例(或PTAT)参考电压输出；

其中所述多个所述互补对中的第一个的所述NiFET的所述源极端子连接到负电源，且所述多个所述互补对中的所述第一个的所述PiFET的所述源极端子连接到正电源，

所述多个所述互补对中的后一个的所述NiFET的所述源极端子接收所述多个所述互补对中的前一个的PTAT参考电压输出；所述多个所述互补对中的所述后一个的所述PiFET的所述源极端子接收所述多个所述互补对中的所述前一个的CTAT参考电压输出；且所述多个所述互补对中的所述后一个的所述共用栅极接收所述多个所述互补对中的所述前一个的所述输出。

4.一种与绝对温度成比例参考电压和与绝对温度互补参考电压产生器电路，包括：

a.第一对互补的n型电流场效应晶体管(NiFET)和p型电流场效应晶体管(PiFET)；

b.第二对互补的NiFET和PiFET；

所述NiFET和PiFET中的每个包括：

i.所述PiFET和NiFET中的所述每个的源极端子、漏极端子、栅极端子和对应导电类型的扩散端子，界定所述源极端子与所述扩散端子之间的源极沟道以及所述漏极端子与所述扩散端子之间的漏极沟道，所述扩散端子引起整个所述源极和漏极沟道中的所述扩散电荷密度的改变，且所述栅极端子电容耦合到所述源极沟道和所述漏极沟道；

其中所述第一互补对的所述NiFET和所述PiFET的所述漏极端子耦合在一起；

所述第二互补对的所述NiFET和所述PiFET的所述漏极端子耦合在一起；

所述第一互补对的所述PiFET的所述源极端子接收正电源；

所述第二互补对的所述NiFET的所述源极端子接收负电源；

其中所述第一互补对及所述第二互补对的所述PiFET的所述栅极端子与所述第一互补对及所述第二互补对的所述NiFET的所述栅极端子连接在一起以形成共用栅极，且接收所述第一互补对的所述NiFET的所述源极端子和所述第二互补对的所述PiFET的所述源极端子，以用于在所述第一互补对的所述PiFET的所述扩散端子处产生正轨道与绝对温度互补(或CTAT)参考电压输出，在所述第一互补对的所述NiFET的所述扩散端子处产生CTAT模拟接地参考电压输出，在所述共用栅极处产生模拟接地参考电压，在所述第二互补对的所述NiFET的所述扩散端子处产生负轨道与绝对温度成比例(或PTAT)参考电压输出。