[发明专利]在存储器单元中形成多晶硅侧壁氧化物间隔件的方法有效
申请号: | 201680056792.1 | 申请日: | 2016-12-12 |
公开(公告)号: | CN108140564B | 公开(公告)日: | 2023-10-20 |
发明(设计)人: | 杰克·王;S·卡比尔;M·海马斯;S·穆拉利;B·科普 | 申请(专利权)人: | 密克罗奇普技术公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L21/321;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 沈锦华 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 单元 形成 多晶 侧壁 氧化物 间隔 方法 | ||
1.一种制造半导体装置的存储器单元的方法,所述方法包括:
沉积具有顶部表面及侧表面的导电层;
在所述导电层的所述顶部表面上方形成ONO层;及
通过包含以下步骤的过程形成邻近所述导电层的所述侧表面的侧壁氧化物层:
在所述导电层的所述侧表面上沉积薄高温氧化物HTO膜;以及
执行快速热氧化RTO退火。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述侧壁氧化物层是通过在所述导电层的所述侧表面上沉积所述薄HTO膜且随后执行所述沉积的薄HTO膜的所述RTO退火而形成。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法,其中所述沉积的薄HTO膜具有在50到的范围内的厚度。
4.根据权利要求1或权利要求2所述的方法,其中所述沉积的薄HTO膜具有在60到的范围内的厚度。
5.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法,其中所述RTO退火是在干燥O2环境中在1000℃到1200℃的温度范围内执行达在25到60秒的范围内的持续时间。
6.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法,其中所述RTO退火是在干燥O2环境中在1050℃到1150℃的温度范围内执行达在30到40秒的范围内的持续时间。
7.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法,其中所述侧壁氧化物层是通过以下步骤形成:执行所述导电层及所述ONO层的所述RTO退火,且在所述RTO退火后,在所述导电层的所述侧表面上方沉积所述薄HTO膜。
8.根据权利要求7所述的方法,其中:
所述RTO退火氧化所述导电层的所述侧表面,且
所述薄HTO膜沉积在所述导电层的所述氧化侧表面上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造