[发明专利]摄像元件及摄像装置

说明书

摄像元件具有：半导体衬底，其具有接受透射过微透镜而入射的光的受光部；和遮光部，其遮挡透射过微透镜而向半导体衬底入射的光的一部分，受光部在微透镜与遮光部之间接受透射过微透镜而入射的光。

技术领域

本发明涉及摄像元件及摄像装置。

背景技术

在专利文献1的公报中公开有如下那样的固态成像装置。

在半导体衬底上设有包含光电转换部及信号扫描电路部且配置单位像素矩阵而成的摄像区域。摄像区域具有：元件分离绝缘膜，其以与相邻的单位像素之间的边界部分对应并包围各单位像素的方式设置；MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor：金氧半场效晶体管)，其设在半导体衬底的表面上且元件分离绝缘膜的下方区域；和第1导电型的第1扩散层，其设在半导体衬底内的元件分离绝缘膜的附近区域。元件分离绝缘膜从自形成有信号扫描电路部的半导体衬底的表面偏离地设置在半导体衬底中，且形成为到达半导体衬底的背面。MOSFET具有栅极电极、和形成在半导体衬底内且栅极电极的上方的第1导电型的第2扩散层。第1扩散层和第2扩散层接触，在半导体衬底的垂直方向上，沿着与垂直方向正交的第1方向的第1扩散层的宽度的中心位于沿着第1方向的第2扩散层的宽度的中心附近。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利5547260号

发明内容

但是，在近年来因所要求的高速读出(例如100～10000帧/秒)致使曝光时间缩短。因此，通过光电转换产生的电荷量减少，而担心感光度的劣化。

本发明的第1方式的摄像元件具有：半导体衬底，其具有接受透射过微透镜而入射的光的受光部；和遮光部，其遮挡透射过上述微透镜而向上述半导体衬底入射的光的一部分。上述受光部在上述微透镜与上述遮光部之间接受透射过上述微透镜而入射的光。

本发明的第2方式的摄像装置具有摄像元件、和基于从摄像元件输出的信号来生成图像数据的生成部。摄像元件具有：半导体衬底，其具有接受透射过微透镜而入射的光的受光部；和遮光部，其遮挡透射过上述微透镜而向上述半导体衬底入射的光的一部分。上述受光部在上述微透镜与上述遮光部之间接受透射过上述微透镜而入射的光。

附图说明

图1是表示第1实施方式的固态成像元件100的概略结构的图。

图2是表示第1实施方式的像素20的等效电路的图。

图3是第1实施方式的像素20的剖视图。

图4的(a)是说明第2实施方式的像素20的概略的剖视图，图4的(b)是图4的(a)的等效电路图。

图5是第2实施方式的固态成像元件100的俯视图。

图6是第2实施方式的像素20的从VI方向观察到的剖视图。

图7是第2实施方式的像素20的从VII方向观察到的剖视图。

图8是第2实施方式的像素20的从VIII方向观察到的剖视图。

图9是说明第2实施方式的变形例1的与图6相对应的剖视图。

图10是表示第2实施方式的变形例1的等效电路的图。

图11是说明第2实施方式的变形例2的与图6相对应的剖视图。

图12是表示第2实施方式的变形例2的等效电路的图。

图13是说明第2实施方式的变形例3的与图7相对应的剖视图。

图14是第3实施方式的像素20的剖视图。