[发明专利]用于转移石墨烯膜和包含石墨烯膜的基底的方法

权利要求书

1.一种用于将石墨烯膜转移到基底上的方法，所述方法包括：

(a)将聚合物层施加到石墨烯膜的第一表面，其中所述石墨烯膜的第二表面与生长基底接触；

(b)将热释放聚合物层施加到所述聚合物层上；

(c)去除所述生长基底以形成包括暴露的石墨烯表面的转移基底；以及

(d)使所述暴露的石墨烯表面与目标基底接触。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述生长基底为金属基底。

3.如权利要求1或2所述的方法，其还包括通过化学气相沉积或等离子体增强化学气相沉积来将所述石墨烯膜沉积在所述生长基底上。

4.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述聚合物层包含聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚(乳酸)或聚碳酸酯。

5.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中施加所述聚合物层包括将所述聚合物浸涂、旋涂或喷涂到所述石墨烯膜上。

6.如前述权利要求中任一项所述的方法，其还包括将所述聚合物层加热至范围为约80℃至约150℃的温度，持续范围为约1分钟至约60分钟的时间周期。

7.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述热释放聚合物层包含聚二甲基硅氧烷或聚氨酯。

8.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中施加所述热释放聚合物层包括压制、辊到辊转移或层压。

9.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中去除所述生长基底包括在范围为约25℃至约60℃的温度下将所述生长基底暴露于蚀刻剂，持续范围为约30分钟至约12小时的时间周期。

10.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述目标基底包括玻璃。

11.如前述权利要求中任一项所述的方法，其还包括在与所述暴露的石墨烯表面接触之前清洁所述目标基底的表面。

12.如权利要求11所述的方法，其中清洁所述目标基底的表面包括用臭氧、酸性溶液、碱性溶液、水或超声能量中的至少一种处理所述表面。

13.如前述权利要求中任一项所述的方法，其还包括通过加热至范围为约100℃至约200℃的温度并剥离所述热释放聚合物来去除所述热释放聚合物。

14.如权利要求13所述的方法，其还包括通过在范围为约25℃至约60℃的温度下将所述聚合物层暴露于有机溶剂持续范围为约15分钟至约60分钟的时间周期来去除所述聚合物层。

15.如权利要求14所述的方法，其还包括任选地在真空下，在范围为约100℃至约400℃的温度下使所述石墨烯膜退火，持续范围为约15分钟至约60分钟的时间周期。

16.一种转移基底，其包括石墨烯膜、热释放聚合物层和设置在所述石墨烯膜与所述热释放聚合物层之间的聚合物层。

17.如权利要求16所述的转移基底，其还包括与所述石墨烯膜接触的另外金属或玻璃层。

18.如权利要求16或17所述的转移基底，其中所述热释放聚合物层包含聚二甲基硅氧烷或聚氨酯。

19.如权利要求16-18中任一项所述的转移基底，其中所述聚合物层包含聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚(乳酸)或聚碳酸酯。

20.如权利要求16-19中任一项所述的转移基底，其中所述热释放聚合物的厚度的范围为约100nm至约1mm。