[发明专利]具有优异基材相容性和优越镀液稳定性的酸性半水性氟化物活化的抗反射涂层清洁剂在审

专利信息
申请号: 201680057581.X 申请日: 2016-09-29
公开(公告)号: CN109153914A 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: C-P·S·许;C-H·W·韦;C-H·L·汤;H·C·杨 申请(专利权)人: 安万托特性材料公司;C-P·S·许;C-H·W·韦;C-H·L·汤;H·C·杨
主分类号: C09K13/08 分类号: C09K13/08;G03F7/42;H01L21/02;H01L21/306;H01L21/311
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 陈文平
地址: 美国宾夕*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 相容性 镀液稳定性 活化 基材 去除 清洁剂 蚀刻 残余物去除 抗反射涂层 清洁化学品 酸性氟化物 表面改性 清洁能力 残余物 氟化物 剥离 清洁 期望 应用
【权利要求书】:

1.一种用于微电子应用的清洁组合物,其包含约0.05重量%至约5.0重量%的二氟氢根化合物、约0.01重量%至约5重量%的pH稳定化相容性增强剂、约5重量%至约90重量%的有机溶剂和约5%至约90%的水。

2.权利要求1所述的清洁组合物,其包含约0.05重量%至约1.0重量%的二氟氢根化合物、约0.05重量%至约3重量%的pH稳定化相容性增强剂、约10重量%至约70重量%的有机溶剂和约10%至约50%的水。

3.权利要求1所述的清洁组合物,其包含约0.1重量%至约0.5重量%的二氟氢根化合物、约0.1重量%至约1.0重量%的pH稳定化相容性增强剂、约20重量%至约60重量%的有机溶剂和约20%至约40%的水。

4.权利要求1所述的清洁组合物,其中所述清洁组合物的pH小于或等于5.5。

5.权利要求1所述的清洁组合物,其中所述清洁组合物的pH小于或等于5.0。

6.权利要求1所述的清洁组合物,其中所述清洁组合物的pH小于或等于4.5。

7.权利要求1所述的清洁组合物,其还包含选自醇类、醇-醚类和醚类的共溶剂。

8.权利要求7所述的清洁组合物,其中所述共溶剂为乙二醇、二乙二醇或其组合。

9.权利要求1所述的清洁组合物,其中所述二氟氢根化合物选自二氟氢化铵、烷基二氟氢化铵、二氟氢化钾和碱金属二氟氢化物。

10.权利要求9所述的清洁组合物,其中所述二氟氢根化合物为二氟氢化铵。

11.权利要求1所述的清洁组合物,其中所述pH稳定化相容性增强剂为多质子酸或其盐。

12.权利要求1所述的清洁组合物,其中所述pH稳定化相容性增强剂选自柠檬酸、柠檬酸二氢铵、柠檬酸氢二铵、柠檬酸三铵、磷酸、磷酸二氢铵、磷酸氢二铵、磷酸三铵、抗坏血酸、抗坏血酸二氢铵、抗坏血酸氢二铵、氨基三亚甲基膦酸及其混合物。

13.权利要求1所述的清洁组合物,其中所述有机溶剂为硫化物或酰胺。

14.权利要求13所述的清洁组合物,其中所述有机溶剂选自二甲亚砜、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、N-乙基吡咯烷酮(NEP)、N-(2-羟基乙基)-2-吡咯烷酮(HEP)、N-(2-羟基乙基)吗啉、二甲基2-哌啶酮(DMPD)、二甲基乙酰胺、甲酰胺及其混合物。

15.权利要求1所述的清洁组合物,其还包含另一氟化物源。

16.权利要求15所述的清洁组合物,其中所述另一氟化物源为氟化物盐。

17.权利要求1所述的清洁组合物,其还包含腐蚀控制剂。

18.权利要求1所述的清洁组合物,其还包含表面活性剂。

19.一种清洁微电子材料的方法,其包括将所述微电子材料与清洁组合物接触,所述清洁组合物包含:约0.05重量%至约5.0重量%的二氟氢根化合物、约0.01重量%至约5重量%的pH稳定化相容性增强剂、约5重量%至约90重量%的有机溶剂和约5%至约90%的水。

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