[发明专利]氟化物荧光体、发光装置及氟化物荧光体的制造方法

权利要求书

1.一种氟化物荧光体的制造方法，所述氟化物荧光体由通式A₂SiF₆：Mn表示，通式A₂SiF₆：Mn中，元素A为至少含有钾的碱金属元素，

所述制造方法包括如下工序：

制备元素A及氟溶解于溶剂而成的水溶液的工序；和

向该水溶液中添加固体状的二氧化硅及供给+7价以外的锰的锰化合物的工序，

锰化合物的添加量为氟化物荧光体中的Mn含量成为0.1质量％以上且1.5质量％以下的范围，

与二氧化硅在水溶液中溶解并行地，氟化物荧光体析出，

与二氧化硅的添加同时、或在添加二氧化硅后添加锰化合物。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，与二氧化硅的添加同时地添加锰化合物。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在二氧化硅的添加之后间歇性地添加锰化合物来维持水溶液中的锰浓度。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的制造方法，其中，锰化合物供给+4价的锰。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的制造方法，其中，在锰化合物溶解于水溶液时供给MnF₆^2-络合离子。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其中，锰化合物为K₂MnF₆。

7.根据权利要求1～3中任一项所述的制造方法，其中，二氧化硅为粉末状。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，二氧化硅的比表面积为0.1～2m²/g。

9.根据权利要求1～3中任一项所述的制造方法，其中，溶剂为氟化氢浓度为40～70质量％的氢氟酸。

10.根据权利要求1～3中任一项所述的制造方法，其中，水溶液以A₂SiF₆晶体不析出的浓度范围包含硅。

11.一种氟化物荧光体，其是由通式A₂SiF₆：Mn表示的粉末状的氟化物荧光体，通式A₂SiF₆：Mn中，元素A为至少含有钾的碱金属元素，

相对于在300℃下加热荧光体前在环境温度100℃下暴露5分钟时的荧光积分强度，在300℃下加热5分钟后再次在环境温度100℃下暴露5分钟时的荧光积分强度的降低率为2％以下，

照射波长300nm的紫外光时的吸收率为50％以下，在激发波长395nm下的内部量子效率相对于在激发波长455nm下的内部量子效率的比为78％以上，Mn含量为0.1质量％以上且1.5质量％以下。

12.根据权利要求11所述的氟化物荧光体，其中，照射波长520nm的绿色光时的吸收率为15％以下。

13.根据权利要求11或12所述的氟化物荧光体，其中，体积基准的中值粒径(D50)为5μm以上且35μm以下，体积基准的累积90％粒径(D90)为10μm以上且50μm以下。

14.一种发光装置，其具有权利要求11～13中任一项所述的氟化物荧光体和发光光源，发光光源的峰波长为420nm以上且480nm以下。

15.根据权利要求14所述的发光装置，其中，在温度60℃、相对湿度90％、150mA通电环境下放置1000小时后的发光亮度的降低率不足5％。