[发明专利]谐振装置及其制造方法

权利要求书

1.一种谐振装置，其特征在于，具备：

下盖，其由未简并的硅构成；

谐振子，其具有由简并了的硅构成且具有与所述下盖对置的下表面的基板、层叠于该基板的第一电极层和第二电极层、形成于所述第一电极层和所述第二电极层之间且具有隔着所述第一电极层与所述基板的上表面对置的面的压电膜；以及

上盖，其与所述下盖对置，在该上盖与下盖之间隔着所述谐振子，

所述基板的下表面具有通过隔着所述下盖而向所述基板照射1064nm波长的YAG激光所形成的调整部，所述调整部是形成于表面的凹凸的深度或高度都比该基板的下表面中的其它区域大的区域，或者是凹凸所占的面积比该基板的下表面中的其它区域大的区域，

所述谐振子中与所述上盖对置的面包括第一区域和第二区域，所述第二区域是与该第一区域不同的区域，所述第二区域的因该谐振子的振动所致的变位大于所述第一区域，

所述调整部设置于所述基板的下表面中的与所述第二区域对应的位置，

所述第一区域由第一调整膜覆盖，

所述第二区域由第二调整膜覆盖，所述第二调整膜的因蚀刻所致的质量减少速度大于所述第一调整膜。

2.根据权利要求1所述的谐振装置，其特征在于，

所述谐振子中的所述第一电极层、所述第二电极层以及所述压电膜形成折曲振动的振动臂，

所述第二区域形成于所述振动臂的顶端附近。

3.根据权利要求1所述的谐振装置，其特征在于，

所述谐振子中的所述第一电极层、所述第二电极层以及所述压电膜形成进行轮廓振动的近似矩形的振动部，

所述第二区域是与所述振动部的四角对应的区域。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的谐振装置，其特征在于，

所述基板在所述下表面包含硅氧化膜，

从所述硅氧化膜到所述由简并了的硅构成的基板的部分地形成所述调整部。

5.一种谐振装置制造方法，其特征在于，包括如下工序：

准备由未简并的硅构成的下盖；

将由简并了的硅构成的基板配置为该基板的下表面与所述下盖对置，在所述基板的上表面依次形成第一电极层、压电膜、第二电极层，来形成谐振子；

配置由硅构成的上盖，使所述上盖隔着所述谐振子与所述下盖对置；以及

隔着所述下盖向所述基板的下表面照射1064nm波长的YAG激光，在所述基板的下表面形成调整部，所述调整部是形成于表面的凹凸的深度或高度比该基板的下表面中的其它区域大的区域，或者是凹凸所占的面积比该基板的下表面中的其它区域大的区域，

谐振装置制造方法还包括如下工序：

形成所述谐振子；

所述第二电极层的表面进一步依次形成第一调整膜和因蚀刻所致的质量减少速度比该第一调整膜大的第二调整膜；

在所述谐振子中的第一区域，去除所述第二调整膜，使所述第一调整膜暴露；以及

对在所述谐振子中的因振动产生的变位比所述第一区域大的第二区域残留的所述第二调整膜的膜厚进行调整，

在形成所述调整部的工序中，

将所述调整部形成于所述基板的下表面中的与所述第二区域对应的位置。

6.根据权利要求5所述的谐振装置制造方法，其特征在于，

调整所述膜厚的工序包括对所述压电膜和所述第一调整膜的膜厚进行测定的工序以及基于所测定出的所述膜厚对所述第二调整膜的膜厚进行调整的工序。

7.根据权利要求5所述的谐振装置制造方法，其特征在于，

调整所述膜厚的工序包括对所述谐振子的谐振频率进行测定的工序和基于所测定出的所述谐振频率对所述第二调整膜的膜厚进行调整的工序。

8.根据权利要求5～7中任一项所述的谐振装置制造方法，其特征在于，

形成所述谐振子的工序包括在所述基板的下表面形成硅氧化膜的工序，

形成所述调整部的工序包括在所述硅氧化膜或者在该硅氧化膜和所述基板形成所述调整部的工序。