[发明专利]加热接合用片材及带有切割带的加热接合用片材有效
| 申请号： | 201680058289.X | 申请日： | 2016-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN108174618B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 菅生悠树;镰仓菜穗 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;H01L21/60;C09J1/00;C09J7/30;C09J201/00;H01L21/301 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 加热 接合 用片材 带有 切割 | ||
【权利要求书】：
1.一种加热接合用片材，其特征在于，其具有通过加热而成为烧结层的层，
所述层的通过下述加热条件A进行了加热后的截面的气孔部分的平均面积在0.005μm2～0.5μm2的范围内，
加热条件A
将所述层在10MPa的加压下、以升温速度1.5℃/秒从80℃升温至300℃后，在300℃下保持2.5分钟，
所述层包含在23℃下为固态的热解性粘结剂。
2.根据权利要求1所述的加热接合用片材，其特征在于，所述层的通过所述加热条件A进行了加热后的截面的气孔部分的比率在0.1％～20％的范围内。
3.根据权利要求1所述的加热接合用片材，其特征在于，所述层的通过所述加热条件A进行了加热后的截面的气孔部分的面积的分布宽度σ为2以下。
4.根据权利要求1所述的加热接合用片材，其特征在于，所述层的通过所述加热条件A进行了加热后的截面的气孔部分的最大面积在0.005μm2～100μm2的范围内。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的加热接合用片材，其特征在于，所述层包含金属微粒，
所述金属微粒为选自由银、铜、银的氧化物、铜的氧化物组成的组中的至少1种。
6.一种带有切割带的加热接合用片材，其特征在于，其具有：
切割带、和
层叠在所述切割带上的权利要求1～5中任一项所述的加热接合用片材。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
