[发明专利]缩减空间的处理腔室

说明书

在此描述的实施方式一般涉及具有缩减空间的处理腔室，以执行超临界干燥处理或其他相变处理。该腔室包含可移动地设置于第一轨道上的基板支撑件和可移动地设置于第二轨道上的门。基板支撑件和门可经配置以相互独立地移动，且该腔室可经配置以最小化腔室内基板的垂直移动。

技术领域

本公开内容的实施方式一般涉及超临界干燥设备。更特定地，在此描述的实施方式涉及缩减空间的处理腔室。

背景技术

在半导体装置的清洁中，通常需要自基板表面的移除液体和固体污染物，因而留下干净的表面。湿法清洁工艺一般涉及清洁液体的使用，例如水清洁溶液。在湿法清洁基板之后，通常需要在清洁腔室中自基板的表面移除清洁液体。

目前多数的湿法清洁技术使用液体喷洒或浸没步骤以清洁基板。在应用清洁液体之后干燥具有高的深宽比特征或具有空隙或孔的低k材料的基板是非常具挑战性的。清洁液体的毛细力通常造成这些结构中的材料变形而可产生所不期望的静摩擦，除了所使用的清洁溶液在基板上所留下的残留物以外可损坏半导体基板。在后续的基板干燥期间，前述缺点对具有高的深宽比的半导体装置结构特别明显。线静摩擦或线崩溃是由侧壁的弯曲造成的，而形成高的深宽比的沟槽或过孔朝向彼此，这是归因于在湿法清洁工艺期间跨过液体-空气界面的毛细压力覆于陷在沟槽或过孔中的液体。具有窄的线宽和高的深宽比的特征特别易受液体-空气和液体-壁界面之间产生的表面张力中的差异的影响(归因于毛细压力，有时也称为毛细力)。由于快速的装置尺寸的进展，目前可行的干燥实践防止线静摩擦方面面临急剧升高的挑战。

结果，本领域中存在有针对改良的设备以执行超临界干燥工艺的需求。

发明内容

在一个实施方式中，提供一种基板处理设备。该设备包含：处理腔室主体，该处理腔室主体具有界定处理空间的衬垫和在该腔室主体中形成的绝缘元件。门可可滑动地耦合至第一轨道且该门可经配置以相对于该腔室主体移动。基板支撑件可可滑动地耦合至第二轨道且该基板可经配置以独立于该门而移动。

在另一实施方式中，提供一种基板处理设备。该设备包含：腔室主体，该腔室主体具有开口，在该腔室主体中形成该开口，且该开口提供进入和自处理空间离开，由该腔室主体的衬垫来界定该处理空间。挡板可设置于该处理空间内，且该挡板可耦合至致动器，该致动器经配置以在该处理空间内移动该挡板。门可可滑动地耦合至第一轨道，且该门可经配置以在开启位置和关闭位置之间平移。基板支撑件可可滑动地耦合至第二轨道，且该基板支撑件可经配置以在该处理空间外部的第一位置和该处理空间内部的第二位置之间平移。该基板支撑件也可经配置以独立于该门而移动。

而在另一实施方式中，提供一种基板处理方法。该方法包含以下步骤：以相对于腔室主体的开启定向来放置门，及以相对于该腔室主体的开启定向来放置基板支撑件。可在该基板支撑件上放置基板，且可放置挡板覆于设置于该基板支撑件上的该基板。可滑动该基板支撑件进入该腔室主体，且可滑动该门以邻接该腔室主体。可独立执行该滑动该基板支撑件的步骤和该滑动该门的步骤。

附图说明

于是可以详细理解本公开内容上述特征中的方式，可通过参考实施方式而具有本公开内容更特定描述(简短总结如上)，其中一些图示于所附附图中。然而，注意所附附图仅图示示范的实施方式，因此不考虑限制其范围，可允许其他等效实施方式。

图1图示根据在此描述的实施方式的形成于半导体基板上的特征之间所产生的静摩擦的影响。

图2A图示根据在此描述的一个实施方式的处理设备的平面视图。

图2B图示根据在此描述的一个实施方式的处理设备的平面视图。

图3示意地图示根据在此描述的一个实施方式的缩减空间的处理腔室的横截面视图。

图4图示根据在此描述的一个实施方式的缩减空间的处理腔室的透视视图。